1. 스퍼터링 및 절연막 도금에 유리합니다. 전극 극성의 급격한 변화를 이용하여 절연 타겟을 직접 스퍼터링하여 절연막을 얻을 수 있습니다. DC 전원을 사용하여 스퍼터링하고 절연막을 증착하면 절연막이 양이온이 캐소드로 유입되는 것을 차단하여 양이온 축적층을 형성하고, 이는 절연 파괴 및 발화의 원인이 됩니다. 양극에 절연막을 증착하면 전자가 양극으로 유입되는 것을 차단하여 양극이 사라지는 현상이 발생합니다. RF 전원을 사용하여 절연막을 코팅하는 경우, 전극의 극성이 교대로 바뀌기 때문에 사이클 전반부에 캐소드에 축적된 양전하는 후반부에 전자에 의해 중화되고, 양극에 축적된 전자는 양이온에 의해 중화됩니다. 후반부 사이클에서는 이와 반대되는 과정을 통해 전극에 전하가 축적되는 것을 방지하고 방전 과정을 정상적으로 진행할 수 있습니다.
2. 고주파 전극은 자기 바이어스를 생성합니다. 평평한 전극 구조를 가진 RF 소자에서, 용량성 결합 정합을 사용하는 회로 내의 고주파 전극은 자기 바이어스 전압을 생성합니다. 방전 시 전자 이동 속도와 이온 이동 속도의 큰 차이는 전자가 주어진 시간에 더 빠른 이동 속도를 달성할 수 있게 하는 반면, 느린 이온 이동 속도는 축적을 유발합니다. 고주파 전극은 각 사이클의 대부분 동안 음전위를 유지하여 지형에 음전압을 발생시키는데, 이것이 고주파 전극의 자기 바이어스 현상입니다.
RF 방전 전극에서 생성되는 자기 바이어스는 캐소드 전극의 이온 충격을 가속화하여 2차 전자를 지속적으로 방출하여 방전 과정을 유지합니다. 이 자기 바이어스는 DC 글로우 방전에서 캐소드 전압 강하와 유사한 역할을 합니다. RF 전원을 사용하더라도 고주파 전극에서 생성되는 자기 바이어스 전압이 500~1000V에 도달하여 방전이 안정적으로 유지될 수 있습니다.
3. 고주파 방전은 나중에 소개된 대기압 글로우 방전과 유전체 장벽 글로우 방전에서 중요한 역할을 합니다.
게시 시간: 2023년 6월 21일