CVDは、大まかに2種類に分けられます。1つは基板上に単一生成物の単結晶エピタキシャル層を蒸着するものであり、狭義にはCVDです。もう1つは基板上に薄膜を蒸着するもので、多生成物やアモルファス膜も含まれます。使用するソースガスの種類によって、CVDはハロゲン輸送法と有機金属化学気相成長法（MOCVD）に分けられます。前者はハロゲン化物をガス源とし、後者は有機金属化合物をガス源とします。反応室内の圧力によって、大気圧CVD（APCVD）、低圧CVD（LPCVD）、超高真空CVD（UHV / CVD）の3つの主なタイプに分けられます。CVDはエネルギー増強補助法としても使用でき、現在一般的なものにはプラズマ増強CVD（PECVD）や光増強CVD（PCVD）などがあります。CVDは基本的に気相堆積法です。
CVDは、本質的には、気相物質を高温で化学反応させて固体物質を生成し、これを基板上に堆積させる成膜法です。具体的には、揮発性金属ハロゲン化物または金属有機化合物をH、Ar、Nなどのキャリアガスと混合し、反応室内の高温基板上に均一に輸送することで、化学反応によって基板上に薄膜を形成します。どのタイプのCVDであっても、堆積を成功させるには、以下の基本条件を満たす必要があります。第一に、堆積温度において、反応物質の蒸気圧が十分に高いこと。第二に、反応生成物は、目的の堆積物である固体状態に加えて、残りは気体状態であること。第三に、堆積反応プロセス全体を通して加熱された基板上で維持できるように、堆積物自体の蒸気圧が十分に低いこと。第四に、基板材料は基板上に均一に輸送され、化学反応によって薄膜を形成します。第四に、基板材料自体の蒸気圧も堆積温度において十分に低いこと。
–この記事は公開されました by真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時: 2024年5月4日