크게 보면, CVD는 크게 두 가지 유형으로 나눌 수 있습니다. 하나는 기판 위에 단일 결정 에피택셜 층을 증착하는 단일 생성물 증착 방식이고, 다른 하나는 기판 위에 박막을 증착하는 방식으로, 다성분 박막 및 비정질 박막을 포함합니다. 사용되는 가스의 종류에 따라 CVD는 할로겐 수송법과 금속유기화학기상증착(MOCVD)으로 구분할 수 있는데, 전자는 할로겐화물을 가스 소스로 사용하고, 후자는 금속유기화합물을 가스 소스로 사용합니다. 반응 챔버 내 압력에 따라 대기압 화학 기상 증착(APCVD), 저압 화학 기상 증착(LPCVD), 초고진공 화학 기상 증착(UHV/CVD)의 세 가지 주요 유형으로 나눌 수 있습니다. CVD는 에너지 증강 보조 방법으로도 사용될 수 있으며, 오늘날 일반적으로 사용되는 방법으로는 플라즈마 증강 화학 기상 증착(PECVD)과 광 증강 화학 기상 증착(PCVD) 등이 있습니다. CVD는 본질적으로 기체상 증착 방법입니다.
CVD는 본질적으로 기체 상태의 물질을 고온에서 화학 반응시켜 고체 물질을 생성하고 이를 기판 위에 증착하는 박막 형성 방법입니다. 구체적으로, 휘발성 금속 할라이드 또는 금속 유기 화합물을 H₂, Ar, N₂와 같은 운반 기체와 혼합한 후, 반응 챔버 내의 고온 기판으로 균일하게 이송하여 화학 반응을 통해 기판 위에 박막을 형성합니다. 어떤 유형의 CVD든 성공적인 증착을 위해서는 다음과 같은 기본 조건을 충족해야 합니다. 첫째, 증착 온도에서 반응물의 증기압이 충분히 높아야 합니다. 둘째, 반응 생성물은 원하는 고체 상태의 증착물을 제외하고 나머지는 모두 기체 상태여야 합니다. 셋째, 증착물 자체의 증기압이 충분히 낮아야 증착 반응 과정이 가열된 기판 전체에서 원활하게 진행될 수 있습니다. 넷째, 기판 물질이 반응 챔버 내의 기판으로 균일하게 이송되어 화학 반응을 통해 박막을 형성해야 합니다. 또한, 증착 온도에서 기판 물질 자체의 증기압도 충분히 낮아야 합니다.
이 기사는 공개되었습니다. by진공 코팅기 제조업체광둥진화
게시 시간: 2024년 5월 4일