В общих чертах, CVD можно условно разделить на два типа: первый — это осаждение монокристаллического эпитаксиального слоя на подложку из паровой фазы, что является узким определением CVD; второй — это осаждение тонких пленок на подложку, включая многокомпонентные и аморфные пленки. В зависимости от типа используемых газов, CVD можно разделить на метод переноса галогенов и метод химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD), в первом случае в качестве источника газа используются галогены, во втором — металлоорганические соединения. В зависимости от давления в реакционной камере, его можно разделить на три основных типа: CVD при атмосферном давлении (APCVD), CVD при низком давлении (LPCVD) и CVD в сверхвысоком вакууме (UHV/CVD). CVD также может использоваться в качестве вспомогательного метода с повышением энергии, и в настоящее время наиболее распространенными являются плазменно-усиленное CVD (PECVD) и CVD с усилением светом (PCVD) и др. CVD по сути является методом осаждения из газовой фазы.
CVD — это, по сути, метод пленкообразования, при котором газообразное вещество вступает в химическую реакцию при высокой температуре, образуя твердое вещество, которое осаждается на подложке. В частности, летучие галогениды металлов или металлоорганические соединения смешиваются с газом-носителем, таким как H₂, Ar или N₂, а затем равномерно транспортируются к высокотемпературной подложке в реакционной камере для образования тонкой пленки на подложке посредством химической реакции. Независимо от типа CVD, для успешного проведения осаждения необходимо соблюдение следующих основных условий: во-первых, при температуре осаждения реагенты должны иметь достаточно высокое давление пара; во-вторых, продукт реакции, помимо желаемого осадка в твердом состоянии, должен находиться в газообразном состоянии; в-третьих, давление пара самого осадка должно быть достаточно низким, чтобы обеспечить протекание процесса осаждения на протяжении всего процесса нагретой подложки; в-четвертых, материал подложки равномерно транспортируется в реакционную камеру на подложке посредством химической реакции для образования тонкой пленки. В-четвертых, давление пара самого материала подложки также должно быть достаточно низким при температуре осаждения.
– Данная статья опубликована byпроизводитель вакуумных напыляемых машинГуандун Чжэньхуа
Дата публикации: 04 мая 2024 г.