Dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), la source de matière gazeuse est un gaz composé organométallique, et le processus de réaction de base du dépôt est similaire au CVD.
1. Gaz brut MOCVD
La source gazeuse utilisée pour le dépôt chimique en phase vapeur (MOCVD) est un gaz de composés organométalliques (MOC). Les composés organométalliques sont des composés stables produits par la combinaison de substances organiques avec des métaux. Les composés organiques contiennent des groupes alkyle et aromatique. Les groupes alkyle comprennent le méthyle, l'éthyle, le propyle et le butyle. Les groupes alkyle comprennent le méthyle, l'éthyle, le propyle et le butyle. Les groupes aromatiques comprennent les homologues phényliques, le triméthyl gallium, [Ga(CH3)3], triméthylaluminium [Al(CH3)3] pour le dépôt de microélectronique, d'optoélectronique, de semi-conducteurs dans les trois, cinq composés dans la couche de film, tels que Ga(CH3)3 L'ammoniac peut être présent dans les plaquettes de silicium ou le saphir lors de la croissance épitaxiale des lampes LED dans la couche luminescente InGaN. Les lampes LED sont 90 % plus économes en énergie que les lampes à incandescence au tungstène et 60 % plus économes en énergie que les lampes fluorescentes. Les lampes LED sont 90 % plus économes en énergie que les lampes à incandescence au tungstène et 60 % plus économes en énergie que les lampes fluorescentes. De nos jours, tous les types de lampadaires, lampes d'éclairage et lampes automobiles utilisent principalement des films électroluminescents LED produits par MOCVD.
2. Température de dépôt
La température de décomposition des composés organométalliques est basse et leur température de dépôt est inférieure à celle du dépôt HCVD. La température de dépôt du TiN par dépôt MOCVD peut être réduite à environ 500 degrés.
–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua
Date de publication : 20 octobre 2023