A deposizione chimica di vapore organicu metallicu (MOCVD), a fonte di materiale gaseosu hè u gasu di cumposti organici metallici, è u prucessu di reazione basicu di a deposizione hè simile à CVD.
1. Gasu crudu MOCVD
A fonte gassosa aduprata per MOCVD hè u gasu di cumposti metallo-organici (MOC). I cumposti metallo-organici sò cumposti stabili prudutti cumbinendu sustanzi organichi cù metalli. I cumposti organichi anu alchile, aromaticu. L'alchili includenu metile, etile, propile è butile. L'alchili includenu metile, etile, propile è butile. L'aromaticu include omologhi fenilici, trimetil galliu, [Ga(CH3)3], trimetilaluminiu [Al(CH3)3] per a deposizione di microelettronica, optoelettronica, semiconduttori in i trè, cinque cumposti in u stratu di film, cum'è Ga (CH3)3 è l'ammoniaca pò esse in u wafer di siliciu o in u zaffiro nantu à a crescita epitassiale di e lampade LED in u stratu luminescente InGaN. E lampade LED sò più di 90% di risparmiu energeticu incandescente di tungstenu, più di 60% di risparmiu energeticu di e lampade fluorescenti. E lampade LED sò 90% più efficienti energeticamente di e lampade incandescenti di tungstenu è 60% più efficienti energeticamente di e lampade fluorescenti. Oghje, tutti i tipi di lampioni stradali, lampade d'illuminazione è lampade per automobili utilizanu basicamente film LED chì emettenu luce pruduciuti da MOCVD.
2. Temperatura di deposizione
A temperatura di decomposizione di i cumposti metallichi organici hè bassa, è a temperatura di deposizione hè più bassa chè quella di l'HCVD. A temperatura di deposizione di TiN depositatu da MOCVD pò esse ridutta à circa 500 gradi.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 20 ottobre 2023