(1) Gas di sputtering. U gas di sputtering deve avè e caratteristiche di un altu rendimentu di sputtering, inerte à u materiale di destinazione, economicu, faciule da ottene alta purezza è altre caratteristiche. In generale, l'argon hè u gas di sputtering più ideale.
(2) Tensione di sputtering è tensione di u substratu. Quessi dui parametri anu un impattu impurtante nantu à e caratteristiche di u filmu, a tensione di sputtering ùn solu affetta a velocità di deposizione, ma affetta ancu seriamente a struttura di u filmu depositatu. U putenziale di u substratu affetta direttamente u flussu di elettroni o ioni di l'iniezione umana. Se u substratu hè messu à terra, hè bombardatu da elettroni equivalenti; se u substratu hè suspesu, hè in a zona di scarica luminosa per ottene un putenziale ligeramente negativu in relazione à a terra di u putenziale di sospensione V1, è u putenziale di u plasma intornu à u substratu V2 per esse più altu di u putenziale di u substratu, chì darà nascita à un certu gradu di bombardamentu di elettroni è ioni pusitivi, risultendu in cambiamenti in u spessore di u filmu, a cumpusizione è altre caratteristiche: se u substratu applica intenzionalmente una tensione di polarizazione, in modu chì sia in cunfurmità cù a polarità di l'accettazione elettrica di elettroni o ioni, ùn solu pò purificà u substratu è migliurà l'adesione di u filmu, ma ancu cambià a struttura di u filmu. In u rivestimentu di sputtering di radiofrequenza, a preparazione di a membrana conduttrice più a polarizazione DC: a preparazione di a membrana dielettrica più a polarizazione di sintonizazione.
(3) Temperatura di u substratu. A temperatura di u substratu hà un impattu più grande nantu à a tensione interna di u filmu, chì hè duvuta à u fattu chì a temperatura affetta direttamente l'attività di l'atomi depositati nantu à u substratu, determinendu cusì a cumpusizione di u filmu, a struttura, a dimensione media di i grani, l'orientazione cristallina è l'incompletezza.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 5 di ghjennaghju di u 2024