Ion beam assisted deposition and low energy source ion

1. Ion beam assisted deposition e masani lava ona faʻaogaina le maualalo o le malosi o le ion beam e fesoasoani ai i le faʻaleleia o mea.

(1) Uiga o le fa'apipi'iina o le ion

I le faagasologa o le ufiufi, o vaega o ata tifaga ua teuina o loʻo faʻaauau pea ona osofaʻia e ion ua molia mai le puna o le ion i luga o le mea o loʻo faʻapipiʻiina aʻo faʻapipiʻiina i faʻamalama oona.

(2) Le matafaioi a le ion assisted deposition

O ion malosi maualuga e osofa'ia vaega o ata tifaga matala i soo se taimi; E ala i le fesiitaiga o le malosi, e maua ai e le vaega o lo'o teuina le malosi tele o le kinetic, ma fa'aleleia atili ai le tulafono o le nucleation ma le tuputupu a'e; Faia se aafiaga faʻapipiʻi i luga o le membrane tissue i soʻo se taimi, e faʻateleina ai le tupu o le ata; Afai e tui le kasa reactive, e mafai ona fausia se stoichiometric vaega faʻapipiʻi i luga o le mea, ma e leai se fesoʻotaʻiga i le va o le faʻapipiʻi faʻapipiʻi ma le substrate.

2. Punavai ion mo le fa'apipi'iina o le la'au fa'aioni

O le uiga o le ion beam assisted deposition o le ata tifaga atoms (deposition particles) o loʻo faʻaauau pea ona osofaʻia e le maualalo o le malosi o ion mai le puna o le ion i luga o le mea o loʻo i luga o le substrate, e faʻapupulaina ai le fausaga ata ma faʻaleleia le faʻatinoga o le ata tifaga. O le malosi E o le ion beam e ≤ 500eV. E masani ona fa'aogaina fa'apogai ion e aofia ai: Kauffman ion source, Hall ion source, anode layer ion source, hollow cathode Hall ion source, radio frequency ion source, etc.