Reactive magnetron sputtering o lona uiga o le kasa fa'afo'i e tu'uina atu e tali atu ai ma ni mea ninii i le faagasologa o le sputtering e maua ai se ata fa'afefiloi. E mafai ona tuʻuina atu kesi faʻafefe e tali atu i le sini faʻapipiʻi sputtering i le taimi lava e tasi, ma e mafai foi ona tuʻuina atu le kesi faʻafefe e tali atu i le uʻamea sputtering poʻo le faʻaogaina o mea faʻapipiʻi i le taimi lava e tasi e saunia ai se ata faʻapipiʻi ma se fua faʻainisinia tuʻuina atu.
(1) O mea faʻatatau e faʻaaogaina mo le faʻaogaina o le magnetron sputtering (mea e tasi elemene poʻo le tele-element target) ma kasa tali e faigofie ona maua le mama maualuga, lea e faʻaogaina i le saunia o ata faʻapipiʻi mama maualuga.
(2) I le reactive magnetron sputtering, e ala i le fetuutuunai o le deposition process parameters, fua o vailaʻau poʻo le fua o vailaʻau faʻapipiʻi e mafai ona saunia, ina ia ausia le faʻamoemoe o le faʻatonutonuina o uiga ata tifaga e ala i le fetuunaiga o le tuufaatasiga o le ata.
(3) O le vevela o le substrate e masani lava e le maualuga tele i le taimi o le reactive magnetron sputtering deposition process, ma o le faiga o ata tifaga e masani lava e le manaʻomia ai le faʻavevelaina o le substrate i le maualuga tele o le vevela, o lea e itiiti ai le faʻatapulaʻaina o mea faʻapipiʻi.
(4) Reactive magnetron sputtering e talafeagai mo le saunia o ata manifinifi manifinifi tutusa vaega tele, ma e mafai ona ausia gaosiga alamanuia ma se gaosiga faaletausaga o le tasi miliona sikuea mita o le ufiufi mai se masini e tasi. I le tele o tulaga, o le natura o le ata e mafai ona suia e ala i le na o le suia o le fua faatatau o le kesi faʻafefe i le kesi lega i le taimi o le sputtering. Mo se faʻataʻitaʻiga, e mafai ona suia le ata mai le uʻamea i le semiconductor poʻo le le uʻamea.
——Ua iai i lenei mataupumasini fa'apipi'i gaogao gaosimeaNa tatala e Guangdong Zhenhua
Taimi meli: Aukuso-31-2023