1. Bij ionenbundelondersteunde depositie worden voornamelijk ionenbundels met lage energie gebruikt ter ondersteuning van de oppervlaktemodificatie van materialen.
(1) Kenmerken van ionenondersteunde depositie
Tijdens het coatingproces worden de afgezette filmdeeltjes continu gebombardeerd door geladen ionen van de ionenbron op het oppervlak van het substraat, terwijl ze worden bedekt met geladen ionenbundels.
(2) De rol van ion-ondersteunde depositie
Ionen met hoge energie bombarderen op elk gewenst moment de losjes gebonden filmdeeltjes. Door energie over te dragen verkrijgen de afgezette deeltjes meer kinetische energie, waardoor de wet van nucleatie en groei wordt verbeterd. Produceren op elk gewenst moment een verdichtingseffect op het membraanweefsel, waardoor de film dichter groeit. Indien reactieve gasionen worden geïnjecteerd, kan een stoichiometrische samengestelde laag op het oppervlak van het materiaal worden gevormd, en is er geen grensvlak tussen de samengestelde laag en het substraat.
2. Ionenbron voor ionenbundelondersteunde depositie
Ionenbundelondersteunde depositie kenmerkt zich doordat de atomen van de filmlaag (depositiedeeltjes) continu worden gebombardeerd door laagenergetische ionen van de ionenbron op het oppervlak van het substraat. Dit zorgt voor een zeer dichte filmstructuur en verbetert de prestaties van de filmlaag. De energie E van de ionenbundel is ≤ 500 eV. Veelgebruikte ionenbronnen zijn onder andere: Kauffman-ionenbronnen, Hall-ionenbronnen, anodelaag-ionenbronnen, holle-kathode-Hall-ionenbronnen, radiofrequentie-ionenbronnen, enz.
Plaatsingstijd: 30 juni 2023