မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာကို တောက်ပသော ထုတ်လွှတ်မှုတွင် ပြုလုပ်ပြီး၊ အပေါ်ယံလွှာ အခန်းတွင် ထုတ်လွှတ်မှု လျှပ်စီးကြောင်း သိပ်သည်းဆနည်းပြီး ပလာစမာ သိပ်သည်းဆ နည်းသည်။ ထို့ကြောင့် မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း နည်းပညာတွင် ဖလင်အလွှာ ချိတ်ဆက်မှုအား နည်းခြင်း၊ သတ္တု အိုင်းယွန်းဓာတ်ပြုမှုနှုန်း နည်းခြင်းနှင့် အနည်ကျမှုနှုန်း နည်းခြင်းကဲ့သို့သော အားနည်းချက်များ ရှိသည်။ မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာ စက်တွင်၊ အန်းထုတ်လွှတ်မှု ကိရိယာတစ်ခု ထည့်သွင်းထားပြီး၊ ၎င်းသည် အန်းထုတ်လွှတ်မှုမှ ထုတ်ပေးသော အန်းပလာစမာရှိ သိပ်သည်းဆမြင့် အီလက်ထရွန် စီးဆင်းမှုကို အသုံးပြု၍ အလုပ်ခွင်ကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်နိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် အပေါ်ယံလွှာနှင့် အရန်အနည်ကျမှုတွင်လည်း ပါဝင်နိုင်သည်။
မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတ္တာရည် အုပ်စက်တွင် arc discharge power source တစ်ခုထည့်ပါ၊ ၎င်းသည် arc source အသေးစား၊ ထောင့်မှန်စတုဂံ planar arc source သို့မဟုတ် cylindrical cathode arc source ဖြစ်နိုင်သည်။ cathode arc source မှထုတ်လုပ်သော high-density electron flow သည် မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတ္တာရည် အုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင် အောက်ပါအခန်းကဏ္ဍများမှ ပါဝင်နိုင်သည်-
၁။ အလုပ်အပိုင်းကို သန့်ရှင်းရေးလုပ်ပါ။ အလွှာမအုပ်မီ၊ ကက်သုတ်အာ့ခ်ရင်းမြစ်စသည်တို့ကိုဖွင့်ပါ၊ အာ့ခ်အီလက်ထရွန်စီးဆင်းမှုဖြင့် ဓာတ်ငွေ့ကို အိုင်းယွန်းဓာတ်တိုးစေပြီး၊ အလုပ်အပိုင်းကို စွမ်းအင်နည်းပြီး သိပ်သည်းဆမြင့် အာဂွန်အိုင်းယွန်းများဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ပါ။
၂။ arc source နှင့် magnetic control target ကို အတူတကွ coated လုပ်ထားသည်။ glow discharge ပါရှိသော magnetron sputtering target ကို coating အတွက် activated လုပ်သောအခါ၊ cathode arc source ကိုလည်း activated လုပ်ပြီး၊ coating source နှစ်ခုလုံးကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း coated လုပ်သည်။ magnetron sputtering target material နှင့် arc source target material ၏ ဖွဲ့စည်းမှု မတူညီသောအခါ၊ film အလွှာများစွာကို plated လုပ်နိုင်ပြီး cathode arc source မှ သိမ်းဆည်းထားသော film အလွှာသည် multi-layer film တွင် interlayer တစ်ခုဖြစ်သည်။
၃။ ကက်သုတ်အစက်အပြောက်ရင်းမြစ်သည် အပေါ်ယံလွှာတွင်ပါဝင်သည့်အခါ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆရှိသော အီလက်ထရွန်စီးဆင်းမှုကို ပေးစွမ်းပြီး ပြန့်ကျဲနေသော သတ္တုဖလင်အလွှာအက်တမ်များနှင့် ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များနှင့် တိုက်မိနိုင်ခြေကို တိုးမြင့်စေပြီး၊ အနည်ထိုင်မှုနှုန်း၊ သတ္တုအိုင်ယွန်ဓာတ်ပြုမှုနှုန်းကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပြီး အနည်ထိုင်မှုကို အထောက်အကူပြုရာတွင် အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာစက်တွင် ပုံစံပြုထားသော ကက်သုတ် အာ့ခ် ရင်းမြစ်သည် သန့်ရှင်းရေးရင်းမြစ်၊ အပေါ်ယံလွှာရင်းမြစ်နှင့် အိုင်းယွန်းနိုက်ဇေးရှင်းရင်းမြစ်တို့ကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး၊ အာ့ခ် ပလာစမာရှိ အာ့ခ် အီလက်ထရွန် စီးဆင်းမှုကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရာတွင် အပြုသဘောဆောင်သော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၂၁ ရက်