Magnetron sputtering coating ကို coating chamber အတွင်းရှိ low discharge current density နှင့် low plasma density ဖြင့် glow discharge လုပ်ပါသည်။ ၎င်းသည် Magnetron sputtering နည်းပညာတွင် နိမ့်သောဖလင်အလွှာ ချည်နှောင်မှုစွမ်းအား၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းဓာတ်နည်းသောနှုန်းနှင့် စုဆောင်းမှုနှုန်းနည်းပါးခြင်းစသည့် အားနည်းချက်များရှိသည်။ magnetron sputtering coating machine တွင် arc discharge device ကိုထည့်သွင်းထားပြီး၊ ၎င်းသည် workpiece ကိုသန့်ရှင်းရန်အတွက် arc discharge မှထုတ်ပေးသော arc plasma အတွင်းရှိ high-density electron flow ကိုအသုံးပြုနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် coating နှင့် auxiliary deposition တွင်ပါ၀င်နိုင်သည်။
သေးငယ်သော arc ရင်းမြစ်၊ rectangular planar arc ရင်းမြစ် သို့မဟုတ် cylindrical cathode arc ရင်းမြစ် ဖြစ်နိုင်သည့် magnetron sputtering coating machine တွင် arc discharge power source ကို ထည့်ပါ။ cathode arc ရင်းမြစ်မှ ထုတ်ပေးသော သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော အီလက်ထရွန် စီးဆင်းမှုသည် magnetron sputtering coating လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင် အောက်ပါ အခန်းကဏ္ဍများကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်-
1. လုပ်ငန်းခွင်ကို သန့်ရှင်းပါ။ အပေါ်ယံမလိမ်းမီ၊ cathode arc source စသည်တို့ကိုဖွင့်ပါ၊ ဓာတ်ငွေ့ကို arc အီလက်ထရွန်စီးဆင်းမှုဖြင့် အိုင်ယွန်ဖြစ်စေပြီး စွမ်းအင်နည်းပြီး သိပ်သည်းဆမြင့်သော အာဂွန်အိုင်းယွန်းများဖြင့် အလုပ်အပိုင်းကို သန့်ရှင်းပါ။
2. arc source နှင့် magnetic control target ကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။ coating ပြုလုပ်ရန်အတွက် တောက်ပသောအထွက်နှင့်အတူ magnetron sputtering ပစ်မှတ်ကို စဖွင့်သောအခါ၊ cathode arc ရင်းမြစ်ကိုလည်း activated ဖြစ်ပြီး coating source နှစ်ခုလုံးကို တပြိုင်နက် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ magnetron sputtering ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် arc ရင်းမြစ်ပစ်မှတ်ပစ္စည်း ကွဲပြားသောအခါ၊ ဖလင်အလွှာများစွာကို ချနိုင်ပြီး၊ cathode arc ရင်းမြစ်မှ အပ်နှံထားသော ဖလင်အလွှာသည် multi-layer film ရှိ interlayer ဖြစ်သည်။
3. cathode arc ရင်းမြစ်သည် coating တွင်ပါဝင်သောအခါတွင် သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော အီလက်ထရွန်စီးဆင်းမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊၊ sputtered metal film layer အက်တမ်များနှင့် တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့များနှင့် တိုက်မိနိုင်ခြေကို တိုးမြင့်စေပြီး စုဆောင်းမှုနှုန်း၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းထွက်နှုန်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေကာ အစစ်ခံရာတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။
magnetron sputtering coating machine တွင် configure လုပ်ထားသော cathode arc source သည် arc plasma အတွင်းရှိ arc electron စီးဆင်းမှုကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် magnetron sputtering coating ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရာတွင် အပြုသဘောဆောင်သော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
တင်ချိန်- ဇွန်လ ၂၁-၂၀၂၃