1. Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung benotzt haaptsächlech Ionenstrahlen mat niddereger Energie fir d'Uewerflächenmodifikatioun vu Materialien z'ënnerstëtzen.
(1) Charakteristike vun der ionengestëtzter Oflagerung
Wärend dem Beschichtungsprozess ginn déi ofgesate Filmpartikelen kontinuéierlech duerch gelueden Ionen vun der Ionenquell op der Uewerfläch vum Substrat bombardéiert, während se mat geluedenen Ionenstralen beschichtet ginn.
(2) D'Roll vun der ionengestëtzter Oflagerung
Héichenergetesch Ionen bombardéieren déi locker gebonnen Filmpartikelen zu all Moment; Duerch d'Iwwerdroe vun Energie kréien déi ofgesate Partikelen eng méi grouss kinetesch Energie, wouduerch d'Gesetz vun der Keimbildung a vum Wuesstum verbessert gëtt; produzéieren zu all Moment en Verdichtungeffekt um Membrangewebe, wouduerch de Film méi dicht wiisst; Wann reaktiv Gasionen injizéiert ginn, kann eng stöchiometresch Verbindungsschicht op der Uewerfläch vum Material geformt ginn, an et gëtt keng Grenzfläch tëscht der Verbindungsschicht an dem Substrat.
2. Ionenquell fir Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung
D'Charakteristik vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung ass, datt d'Atomer vun der Filmschicht (Oflagerungspartikelen) kontinuéierlech vun Ionen mat niddreger Energie vun der Ionenquell op der Uewerfläch vum Substrat bombardéiert ginn, wouduerch d'Filmstruktur ganz dicht gëtt an d'Leeschtung vun der Filmschicht verbessert gëtt. D'Energie E vum Ionenstrahl ass ≤ 500 eV. Dacks benotzt Ionenquellen sinn: Kauffman-Ionenquell, Hall-Ionenquell, Anodenschicht-Ionenquell, Hall-Ionenquell mat Hohlkathode, Radiofrequenz-Ionenquell, etc.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 30. Juni 2023