1.आयन बीम सहायता प्राप्त निक्षेपण में मुख्य रूप से सामग्रियों के सतह संशोधन में सहायता के लिए कम ऊर्जा आयन बीम का उपयोग किया जाता है।
(1) आयन सहायता प्राप्त निक्षेपण की विशेषताएं
कोटिंग प्रक्रिया के दौरान, जमा फिल्म कणों पर सब्सट्रेट की सतह पर आयन स्रोत से आवेशित आयनों द्वारा लगातार बमबारी की जाती है, जबकि उन्हें आवेशित आयन किरणों के साथ लेपित किया जाता है।
(2) आयन सहायता प्राप्त निक्षेपण की भूमिका
उच्च ऊर्जा आयन किसी भी समय शिथिल रूप से बंधे फिल्म कणों पर बमबारी करते हैं; ऊर्जा स्थानांतरित करके, जमा कणों को अधिक गतिज ऊर्जा प्राप्त होती है, जिससे न्यूक्लियेशन और विकास के नियम में सुधार होता है; किसी भी समय झिल्ली ऊतक पर एक संघनन प्रभाव उत्पन्न करते हैं, जिससे फिल्म अधिक घनी हो जाती है; यदि प्रतिक्रियाशील गैस आयनों को इंजेक्ट किया जाता है, तो सामग्री की सतह पर एक स्टोइकोमेट्रिक यौगिक परत बनाई जा सकती है, और यौगिक परत और सब्सट्रेट के बीच कोई इंटरफ़ेस नहीं होता है।
2. आयन बीम सहायता प्राप्त निक्षेपण के लिए आयन स्रोत
आयन बीम सहायता प्राप्त निक्षेपण की विशेषता यह है कि फिल्म परत परमाणुओं (निक्षेपण कणों) पर सब्सट्रेट की सतह पर आयन स्रोत से कम ऊर्जा आयनों द्वारा लगातार बमबारी की जाती है, जिससे फिल्म संरचना बहुत सघन हो जाती है और फिल्म परत के प्रदर्शन में सुधार होता है। आयन बीम की ऊर्जा E ≤ 500eV है। आम तौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले आयन स्रोतों में शामिल हैं: कॉफ़मैन आयन स्रोत, हॉल आयन स्रोत, एनोड परत आयन स्रोत, खोखला कैथोड हॉल आयन स्रोत, रेडियो आवृत्ति आयन स्रोत, आदि।
पोस्ट करने का समय: जून-30-2023