Generell lässt sich CVD in zwei Typen unterteilen: ein Typ ist die Gasphasenabscheidung von Einzelprodukten auf einem Substrat aus epitaktischen Einkristallschichten (genauer gesagt CVD); der andere ist die Abscheidung von dünnen Filmen auf dem Substrat, darunter Mehrprodukt- und amorphe Filme. Je nach den unterschiedlichen Arten der verwendeten Quellgase lässt sich CVD in Halogentransportverfahren und metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) unterteilen, wobei erstere Halogenide, letztere metallorganische Verbindungen als Gasquelle nutzen. Je nach Druck in der Reaktionskammer lässt sich CVD in drei Haupttypen unterteilen: CVD bei Atmosphärendruck (APCVD), CVD bei niedrigem Druck (LPCVD) und CVD im Ultrahochvakuum (UHV/CVD). CVD kann auch als energieverstärktes Hilfsverfahren eingesetzt werden. Zu den heutzutage gebräuchlichen Verfahren zählen plasmaverstärkte CVD (PECVD) und lichtverstärkte CVD (PCVD) usw. CVD ist im Wesentlichen ein Gasphasenabscheidungsverfahren.
CVD ist im Wesentlichen ein Filmbildungsverfahren, bei dem eine gasförmige Substanz bei hohen Temperaturen chemisch reagiert, um einen Feststoff zu erzeugen, der auf einem Substrat abgeschieden wird. Dabei werden flüchtige Metallhalogenide oder metallorganische Verbindungen mit einem Trägergas wie H, Argon oder N vermischt und gleichmäßig auf ein Hochtemperatursubstrat in einer Reaktionskammer transportiert, wo sich durch eine chemische Reaktion ein dünner Film auf dem Substrat bildet. Unabhängig von der CVD-Art muss eine erfolgreiche Abscheidung folgende Grundvoraussetzungen erfüllen: Erstens müssen die Reaktanten bei der Abscheidungstemperatur einen ausreichend hohen Dampfdruck aufweisen; zweitens muss das Reaktionsprodukt neben dem gewünschten Feststoff auch gasförmig sein; drittens muss der Dampfdruck des Abscheidungsmaterials ausreichend niedrig sein, um die Abscheidungsreaktion während des gesamten Prozesses auf dem erhitzten Substrat zu gewährleisten; viertens muss das Substratmaterial gleichmäßig in die Reaktionskammer auf dem Substrat transportiert werden, wo durch die chemische Reaktion ein dünner Film gebildet wird. Viertens muss der Dampfdruck des Substratmaterials bei der Abscheidungstemperatur ebenfalls niedrig genug sein.
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Beitragszeit: 04. Mai 2024