1. A deposizione assistita da fasciu ionicu usa principalmente fasci di ioni à bassa energia per aiutà à a mudificazione superficiale di i materiali.
(1) Caratteristiche di a deposizione assistita da ioni
Durante u prucessu di rivestimentu, e particelle di film depositate sò bombardate continuamente da ioni carichi da a fonte di ioni nantu à a superficia di u substratu mentre sò rivestite cù fasci di ioni carichi.
(2) U rolu di a deposizione assistita da ioni
L'ioni d'alta energia bombardanu e particelle di film ligate liberamente in ogni mumentu; Trasferendu l'energia, e particelle depositate acquistanu una maggiore energia cinetica, migliorandu cusì a lege di nucleazione è di crescita; Producenu un effettu di cumpattazione nantu à u tissutu di a membrana in ogni mumentu, facendu cresce u film più densamente; Se l'ioni di gas reattivi sò iniettati, un stratu di cumpostu stechiometricu pò esse furmatu nantu à a superficia di u materiale, è ùn ci hè nisuna interfaccia trà u stratu di cumpostu è u substratu.
2. Fonte di ioni per a deposizione assistita da fasciu di ioni
A caratteristica di a deposizione assistita da un fasciu di ioni hè chì l'atomi di u stratu di film (particelle di deposizione) sò continuamente bombardati da ioni di bassa energia da a fonte di ioni nantu à a superficia di u sustratu, rendendu a struttura di u film assai densa è migliurendu e prestazioni di u stratu di film. L'energia E di u fasciu di ioni hè ≤ 500 eV. E fonti di ioni cumunemente aduprate includenu: fonte di ioni Kauffman, fonte di ioni Hall, fonte di ioni di stratu anodicu, fonte di ioni Hall à catodu cavu, fonte di ioni à radiofrequenza, ecc.
Data di publicazione: 30 di ghjugnu di u 2023