Ion beam assisted deposition ug ubos nga energy ion source

Ang 1.Ion beam assisted deposition kasagaran naggamit sa ubos nga energy ion beams aron sa pagtabang sa pagbag-o sa nawong sa mga materyales.

(1) Mga kinaiya sa ion assisted deposition

Atol sa proseso sa coating, ang mga nadeposito nga mga partikulo sa pelikula padayon nga gibombahan sa mga gikargahan nga mga ion gikan sa gigikanan sa ion sa ibabaw sa substrate samtang giputos sa mga gikarga nga mga sagbayan sa ion.

(2) Ang papel sa ion assisted deposition

Ang taas nga enerhiya nga mga ion nagbomba sa mga partikulo sa pelikula nga gigapos bisan unsang orasa; Pinaagi sa pagbalhin sa enerhiya, ang nadeposito nga mga partikulo makaangkon og mas dako nga kinetic energy, sa ingon nagpauswag sa balaod sa nucleation ug pagtubo; Paghimo usa ka epekto sa compaction sa tisyu sa lamad sa bisan unsang oras, nga naghimo sa pelikula nga motubo nga labi ka dasok; Kung ang mga reaktibo nga gas ions gi-injected, ang usa ka stoichiometric compound layer mahimong maporma sa ibabaw sa materyal, ug walay interface tali sa compound layer ug sa substrate.

2. Ion nga tinubdan alang sa ion beam assisted deposition

Ang kinaiya sa ion beam assisted deposition mao nga ang film layer atoms (deposition particles) padayon nga gibombahan sa ubos nga energy ions gikan sa ion source sa ibabaw sa substrate, nga naghimo sa film structure nga dasok kaayo ug nagpauswag sa performance sa film layer. Ang enerhiya E sa ion beam kay ≤ 500eV. Ang kasagarang gigamit nga mga tinubdan sa ion naglakip sa: Kauffman ion source, Hall ion source, anode layer ion source, hollow cathode Hall ion source, radio frequency ion source, etc.