Гомумән алганда, CVDны ике төргә бүлеп була: берсе - бер продуктта, бер кристалл эпитаксиаль катламның субстрат пар парламенты, тар CVD булган; икенчесе - субстратта нечкә фильмнар, шул исәптән күп продуктлы һәм аморф фильмнар. Кулланылган чыганак газларының төрле төрләре буенча, CVDны галоген транспорт ысулына һәм металл-органик химик пар парламенты (MOCVD) дип бүлеп була, элеккеге газ чыганагы буларак, соңгысы газ чыганагы буларак металл-органик кушылмаларга. Реакция палатасындагы басым буенча, аны өч төп төргә бүлеп була: атмосфера басымы CVD (APCVD), түбән басымлы CVD (LPCVD) һәм ультра югары вакуум CVD (UHV / CVD) .CVD шулай ук энергияне көчәйтүче ярдәмче ысул буларак кулланылырга мөмкин, һәм хәзерге вакытта гадәттәгечә плазмалы көчәйтелгән CVD (PECVD) һәм җиңел көчәйтелгән CVD (PECVD).
CVD асылда кино формалаштыру ысулы, газ фазалы матдә югары температурада химик реакциядә, субстратка салынган каты матдә чыгару өчен. Аерым алганда, үзгәрүчән металл галидлар яки металл органик кушылмалар H, Ar, N кебек ташучы газ белән кушылалар, аннары химик реакция аша субстратта нечкә пленка формалаштыру өчен реакция камерасында югары температуралы субстратка бертөрле ташылалар. Кайсы төр CVD төренә карамастан, чүпләү уңышлы башкарылырга тиеш, түбәндәге төп шартларга туры килергә тиеш: Беренчедән, чүпләү температурасында реакторлар парларның басымы җитәрлек булырга тиеш; Икенчедән, реакция продукты, каты дәүләт өчен кирәкле запаска өстәп, калган газ торышы; Өченчедән, депозит үзе җылытылган субстратның бөтен процессында саклансын өчен, парның басымы җитәрлек дәрәҗәдә түбән булырга тиеш. Дүртенчедән, субстрат материалы бертөрле субстраттагы реакция камерасына, химик реакция аша нечкә пленка формалаштырыла. Дүртенчедән, субстрат материалның пар басымы үзе дә температурада җитәрлек түбән булырга тиеш.
IsБу мәкалә чыгарылды byвакуум каплау машинасы җитештерүчеГуандун Чжэнхуа
Пост вакыты: Май-04-2024