В широком смысле, CVD можно условно разделить на два типа: один заключается в осаждении из паров одного продукта на подложке монокристаллического эпитаксиального слоя, что является узким CVD; другой представляет собой осаждение тонких пленок на подложке, включая многопродуктовые и аморфные пленки. В зависимости от различных типов используемых исходных газов CVD можно разделить на метод транспортировки галогенов и химическое осаждение из паров металлоорганических соединений (MOCVD), первый из которых использует галогенид в качестве источника газа, второй — металлоорганические соединения в качестве источника газа. В зависимости от давления в реакционной камере его можно разделить на три основных типа: CVD при атмосферном давлении (APCVD), CVD при низком давлении (LPCVD) и CVD в сверхвысоком вакууме (UHV/CVD). CVD также может использоваться в качестве вспомогательного метода с усилением энергии, и в настоящее время распространенными являются плазменное CVD (PECVD) и светоулучшенное CVD (PCVD) и т. д. CVD по сути является методом осаждения из газовой фазы.
CVD по сути является методом формирования пленки, в котором газофазное вещество химически реагирует при высокой температуре, чтобы получить твердое вещество, которое осаждается на подложке. В частности, летучие галогениды металлов или металлоорганические соединения смешиваются с газом-носителем, таким как H, Ar или N, а затем равномерно транспортируются к высокотемпературной подложке в реакционной камере, чтобы сформировать тонкую пленку на подложке посредством химической реакции. Независимо от того, какой тип CVD, осаждение может быть успешно выполнено, должно соответствовать следующим основным условиям: во-первых, при температуре осаждения реагенты должны иметь достаточно высокое давление паров; во-вторых, продукт реакции, в дополнение к желаемому осаждению для твердого состояния, остальная часть газообразного состояния; в-третьих, само осаждение должно иметь достаточно низкое давление паров, чтобы гарантировать, что процесс реакции осаждения может поддерживаться во всем процессе нагревания подложки; в-четвертых, материал подложки равномерно транспортируется в реакционную камеру на подложке посредством химической реакции, чтобы сформировать тонкую пленку. В-четвертых, давление паров самого материала подложки также должно быть достаточно низким при температуре осаждения.
–Эта статья опубликована byпроизводитель вакуумных напылительных машинГуандун Чжэньхуа
Время публикации: 04-05-2024