Am Groussen a Ganzen kann CVD grob an zwou Zorten agedeelt ginn: eng ass d'Oflagerung vun enger Eenzelkristall-Epitaxialschicht um Substrat, déi enk CVD ass; déi aner ass d'Oflagerung vun dënne Schichten um Substrat, dorënner Multiprodukt- a amorph Schichten. Jee no den ënnerschiddlechen Aarte vu benotzte Quellgaser kann CVD an d'Halogentransportmethod an d'Metallorganesch-Chemesch-Dampoflagerung (MOCVD) agedeelt ginn, woubei déi éischt als Halogenid als Gasquell benotzt gëtt, déi zweet als Metallorganesch Verbindungen als Gasquell. Jee no Drock an der Reaktiounskammer kann et an dräi Haapttypen agedeelt ginn: Atmosphärendrock-CVD (APCVD), Nidderdrock-CVD (LPCVD) an Ultrahochvakuum-CVD (UHV/CVD). CVD kann och als energieverstäerkt Hëllefsmethod benotzt ginn, an hautdesdaags gehéieren zu de gängegsten Plasmaverstäerkt CVD (PECVD) a Liichtverstäerkt CVD (PCVD), etc. CVD ass am Fong eng Gasphasoflagerungsmethod.
CVD ass am Fong eng Filmbildungsmethod, bei där eng Gasphas-Substanz bei héijer Temperatur chemesch reagéiert gëtt, fir eng fest Substanz ze produzéieren, déi op engem Substrat ofgesat gëtt. Speziell ginn flüchteg Metallhalogeniden oder Metallorganesch Verbindungen mat engem Trägergas wéi H₂, Ar oder N₂ gemëscht an dann gläichméisseg op en Héichtemperatur-Substrat an enger Reaktiounskammer transportéiert, fir duerch eng chemesch Reaktioun en dënne Film um Substrat ze bilden. Egal wéi eng Zort CVD, d'Oflagerung erfollegräich duerchgefouert ka ginn, muss déi folgend Grondbedingungen erfëllen: Éischtens mussen d'Reaktanten bei der Oflagerungstemperatur en ausreechend héijen Dampdrock hunn; Zweetens mussen d'Reaktiounsprodukt, zousätzlech zu der gewënschter Oflagerung fir de feste Zoustand, de Rescht vum gasfërmegen Zoustand; Drëttens soll d'Oflagerung selwer en ausreechend niddregen Dampdrock hunn, fir sécherzestellen, datt de Prozess vun der Oflagerungsreaktioun am ganze Prozess vum erhëtzte Substrat gehale ka ginn; Véiertens gëtt d'Substratmaterial gläichméisseg an d'Reaktiounskammer um Substrat transportéiert, fir duerch déi chemesch Reaktioun en dënne Film ze bilden. Véiertens soll den Dampdrock vum Substratmaterial selwer och bei der Oflagerungstemperatur niddreg genuch sinn.
– Dësen Artikel ass publizéiert byHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 04. Mee 2024