In generale, a CVD pò esse divisa in dui tipi: unu hè a deposizione di vapore di un unicu pruduttu nantu à u substratu di un stratu epitaxiale monocristallinu, chì hè strettamente CVD; l'altru hè a deposizione di film sottili nantu à u substratu, cumpresi film multi-produttu è amorfi. Sicondu i sfarenti tippi di gasi surgenti utilizati, a CVD pò esse divisa in metudu di trasportu di alogeni è deposizione di vapore chimicu metallorganicu (MOCVD), u primu à alogenuru cum'è fonte di gas, u secondu à cumposti metallorganici cum'è fonte di gas. Sicondu a pressione in a camera di reazione, pò esse divisa in trè tippi principali: CVD à pressione atmosferica (APCVD), CVD à bassa pressione (LPCVD) è CVD à ultra-altu vuoto (UHV/CVD). A CVD pò ancu esse aduprata cum'è metudu ausiliariu à energia migliorata, è oghje i più cumuni includenu CVD à plasma miglioratu (PECVD) è CVD à luce miglioratu (PCVD), ecc. A CVD hè essenzialmente un metudu di deposizione in fase gassosa.
A CVD hè essenzialmente un metudu di furmazione di film in u quale una sustanza in fase gassosa hè fatta reagisce chimicamente à alta temperatura per pruduce una sustanza solida chì hè depositata nantu à un substratu. Specificamente, l'alogenuri metallichi volatili o i cumposti organici metallichi sò mischiati cù un gas vettore cum'è H, Ar, o N, è dopu trasportati uniformemente à un substratu à alta temperatura in una camera di reazione per furmà una pellicola fina nantu à u substratu per mezu di una reazione chimica. Indipendentemente da u tipu di CVD, a deposizione pò esse realizata cù successu deve risponde à e seguenti cundizioni basiche: Prima, à a temperatura di deposizione, i reagenti devenu avè una pressione di vapore sufficientemente alta; Siconda, u pruduttu di reazione, in più di u depositu desideratu per u statu solidu, u restu di u statu gassoso; Terzu, u depositu stessu deve avè una pressione di vapore sufficientemente bassa per assicurà chì u prucessu di reazione di deposizione pò esse mantinutu in tuttu u prucessu di u substratu riscaldatu; Quartu, u materiale di u substratu hè trasportatu uniformemente à a camera di reazione nantu à u substratu, per mezu di a reazione chimica per furmà una pellicola fina. Quartu, a pressione di vapore di u materiale di u substratu stessu deve ancu esse abbastanza bassa à a temperatura di deposizione.
–Questu articulu hè statu publicatu byfabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 04 di maghju 2024