Чынлыкта, ион нуры ярдәмендә урнаштыру технологиясе - композит технология. Бу - ион имплантациясен һәм физик пар урнаштыру пленкасы технологиясен берләштергән композит өслек ион эшкәртү техникасы, һәм ион нуры өслеген оптимизацияләүнең яңа төре. Физик пар урнаштыру өстенлекләреннән тыш, бу техника теләсә нинди калынлык пленкасын катгыйрак контроль шартларында өзлексез үстерә ала, пленка катламының кристалллыгын һәм юнәлешен сизелерлек яхшырта, пленка катламының/субстратның адгезия көчен арттыра, пленка катламының тыгызлыгын яхшырта һәм бүлмә температурасында идеаль стехиометрик нисбәтләргә ия булган кушылма пленкалар синтезлый ала, шул исәптән бүлмә температурасында һәм басымында алып булмый торган яңа төр пленкалар да. Ион нуры ярдәмендә урнаштыру ион имплантацияләү процессының өстенлекләрен саклап кына калмый, ә субстратны субстраттан бөтенләй башка пленка белән дә капларга мөмкин.
Физик пар чыгаруның барлык төрләрендә һәм химик пар чыгаруда, IBAD системасын формалаштыру өчен ярдәмче бомбардировка ион кораллары җыелмасы өстәлергә мөмкин, һәм рәсемдә күрсәтелгәнчә, түбәндәге ике гомуми IBAD процессы бар:
(а) рәсемдә күрсәтелгәнчә, электрон нурының парга әйләнү чыганагы ион пистолетыннан чыгарылган ион нуры белән пленка катламын нурландыру өчен кулланыла, шуның белән ион нуры ярдәмендә утырту гамәлгә ашырыла. Өстенлеге шунда ки, ион нурының энергиясен һәм юнәлешен көйләргә мөмкин, ләкин парга әйләнү чыганагы буларак бары тик бер яки чикләнгән эретмә яки кушылма гына кулланылырга мөмкин, һәм эретмә компонентының һәм кушылманың һәр пар басымы төрле, бу исә башлангыч парга әйләнү чыганагы составының пленка катламын алуны катлауландыра.
(b) рәсемдә ион нуры ярдәмендә сиптерү күрсәтелгән, ул шулай ук икеләтә ион нуры сиптерү дип тә атала, анда максат ион нуры сиптерү каплау материалыннан ясалган, сиптерү продуктлары чыганак буларак кулланыла. Аны субстратка урнаштырганда, ион нуры ярдәмендә сиптерү башка ион чыганагы белән нурландыру юлы белән башкарыла. Бу ысулның өстенлеге шунда ки, сиптерелгән кисәкчәләр үзләре билгеле бер энергиягә ия, шуңа күрә субстрат белән яхшырак адгезия бар; максатның теләсә нинди компоненты сиптерү каплавы белән капланырга мөмкин, ләкин шулай ук пленкага реакция сиптерүе дә мөмкин, пленка составын көйләү җиңел, ләкин аның сиптерү нәтиҗәлелеге түбән, максат кыйммәт һәм сайлап сиптерү кебек проблемалар бар.
Бастырып чыгару вакыты: 2022 елның 8 ноябре