Tegelikult on ioonkiirega sadestamise tehnoloogia komposiittehnoloogia.See on komposiitpinna ioonitöötlustehnika, mis ühendab ioonide implanteerimise ja füüsilise aurustamise-sadestamise kile tehnoloogia ning uut tüüpi ioonkiire pinna optimeerimise tehnika.Lisaks füüsilise aurustamise-sadestamise eelistele saab see tehnika pidevalt kasvatada mis tahes paksusega kilet rangemates kontrolltingimustes, parandada oluliselt kilekihi kristallilisust ja orientatsiooni, suurendada kilekihi/substraadi adhesioonitugevust, parandada tihedust. kilekihist ja sünteesida toatemperatuuril ideaalsete stöhhiomeetriliste suhetega liitkilesid, sealhulgas uut tüüpi kilesid, mida ei saa toatemperatuuril ja rõhul.Ioonkiirega sadestamine mitte ainult ei säilita ioonide implanteerimisprotsessi eeliseid, vaid võib ka katta substraadi substraadist täiesti erineva kilega.
Igat liiki füüsikalise aur-sadestamise ja keemilise aurustamise-sadestamise korral saab IBAD-süsteemi moodustamiseks lisada täiendavate pommitamisioonpüstolite komplekti ja on kaks üldist IBAD-protsessi, nagu on näidatud joonisel:
Nagu on näidatud joonisel (a), kasutatakse kilekihi kiiritamiseks ioonpüstolist väljastatud ioonkiirega elektronkiire aurustusallikat, realiseerides seega ioonkiirega toetatud sadestamise.Eeliseks on see, et ioonkiire energiat ja suunda saab reguleerida, kuid aurustusallikana saab kasutada ainult ühte või piiratud sulamit või ühendit ning sulami komponendi ja ühendi iga aururõhk on erinev, mis muudab selle keeruliseks. algse aurustumisallika koostise kilekihi saamiseks.
Joonisel (b) on kujutatud ioonkiirega pihustussadestamine, mida tuntakse ka kahe ioonkiirega pihustussadestamisena, mille allikana kasutatakse ioonkiirega pihustavast kattematerjalist valmistatud sihtmärki, pihustusprodukte.Selle aluspinnale sadestamisel saavutatakse ioonkiirega pihustussadestamine kiiritamisega teise iooniallikaga.Selle meetodi eeliseks on see, et pihustatud osakesed ise omavad teatud energiat, mistõttu on aluspinnaga parem haardumine;Sihtmärgi mis tahes komponendiks võib olla pihustatud kate, kuid see võib olla ka reaktsioonipihustamine kilesse, kile koostist on lihtne reguleerida, kuid selle sadestusefektiivsus on madal, sihtmärk on kallis ja esineb probleeme, nagu selektiivne pihustamine.
Postitusaeg: nov-08-2022