Teknolojia ya uwekaji wa miale ya ioni iliyosaidiwa

Kwa kweli, teknolojia ya uwekaji wa ioni inayosaidiwa na boriti ya ioni ni teknolojia ya mchanganyiko. Ni mbinu ya matibabu ya ioni ya uso mchanganyiko inayochanganya upandikizaji wa ioni na teknolojia ya filamu ya uwekaji wa mvuke halisi, na aina mpya ya mbinu ya uboreshaji wa uso wa boriti ya ioni. Mbali na faida za uwekaji wa mvuke halisi, mbinu hii inaweza kukuza filamu yoyote ya unene chini ya hali ngumu zaidi ya udhibiti, kuboresha fuwele na mwelekeo wa safu ya filamu kwa kiasi kikubwa zaidi, kuongeza nguvu ya kushikamana ya safu/substrate ya filamu, kuboresha unene wa safu ya filamu, na kutengeneza filamu za mchanganyiko zenye uwiano bora wa stoichiometric karibu na halijoto ya kawaida, ikiwa ni pamoja na aina mpya za filamu ambazo haziwezi kupatikana kwa halijoto ya kawaida na shinikizo. Uwekaji wa ioni unaosaidiwa na boriti ya ioni sio tu kwamba huhifadhi faida za mchakato wa upandikizaji wa ioni, lakini pia inaweza kufunika substrate kwa filamu tofauti kabisa na substrate.
Katika aina zote za utuaji wa mvuke wa kimwili na utuaji wa mvuke wa kemikali, seti ya bunduki za ioni za ziada za mabomu zinaweza kuongezwa ili kuunda mfumo wa IBAD, na kuna michakato miwili ya jumla ya IBAD kama ifuatavyo, kama inavyoonyeshwa kwenye Picha:

Kama inavyoonyeshwa katika Picha (a), chanzo cha uvukizi wa boriti ya elektroni hutumika kuangazia safu ya filamu kwa kutumia boriti ya ioni inayotolewa kutoka kwa bunduki ya ioni, hivyo kutambua uwekaji unaosaidiwa na boriti ya ioni. Faida ni kwamba nishati na mwelekeo wa boriti ya ioni vinaweza kurekebishwa, lakini ni aloi moja au ndogo tu, au kiwanja kinachoweza kutumika kama chanzo cha uvukizi, na kila shinikizo la mvuke la sehemu ya aloi na kiwanja ni tofauti, ambayo inafanya iwe vigumu kupata safu ya filamu ya muundo wa chanzo cha uvukizi asili.
Picha (b) inaonyesha uwekaji unaosaidiwa na unyunyiziaji wa boriti ya ioni, ambao pia hujulikana kama uwekaji wa unyunyiziaji wa boriti ya ioni mbili, ambapo shabaha hutengenezwa kwa nyenzo za mipako ya unyunyiziaji wa boriti ya ioni, bidhaa za unyunyiziaji hutumika kama chanzo. Wakati wa kuiweka kwenye substrate, uwekaji unaosaidiwa na unyunyiziaji wa boriti ya ioni hupatikana kwa kuchomwa na chanzo kingine cha ioni. Faida ya njia hii ni kwamba chembe zilizochomwa zenyewe zina nishati fulani, kwa hivyo kuna mshikamano bora na substrate; sehemu yoyote ya shabaha inaweza kuwa mipako ya unyunyiziaji, lakini pia inaweza kuwa na athari ya unyunyiziaji kwenye filamu, rahisi kurekebisha muundo wa filamu, lakini ufanisi wake wa unyunyiziaji ni mdogo, shabaha ni ghali na kuna matatizo kama vile unyunyiziaji wa kuchagua.