Teknolojia ya uwekaji wa boriti ya Ion

Kwa kweli, teknolojia ya uwekaji wa boriti ya Ion ni teknolojia ya mchanganyiko.Ni mbinu ya matibabu ya ioni ya uso yenye mchanganyiko inayochanganya upachikaji wa ayoni na teknolojia ya filamu ya uwekaji wa mvuke halisi, na aina mpya ya mbinu ya uboreshaji wa uso wa boriti ya ioni.Mbali na faida za uwekaji wa mvuke halisi, mbinu hii inaweza kuendelea kukuza filamu yoyote ya unene chini ya hali ngumu zaidi ya udhibiti, kuboresha ung'avu na mwelekeo wa safu ya filamu kwa kiasi kikubwa zaidi, kuongeza nguvu ya mshikamano wa safu / substrate ya filamu, kuboresha msongamano. ya safu ya filamu, na kuunganisha filamu kiwanja na uwiano bora wa stoichiometric katika joto la kawaida la chumba, ikiwa ni pamoja na aina mpya za filamu ambazo haziwezi kupatikana kwa joto la kawaida na shinikizo.Uwekaji unaosaidiwa wa boriti ya ion hauhifadhi tu faida za mchakato wa upandikizaji wa ioni, lakini pia unaweza kufunika substrate na filamu tofauti kabisa na substrate.
Katika kila aina ya uwekaji wa mvuke halisi na uwekaji wa mvuke wa kemikali, seti ya bunduki za ioni za mabomu zinaweza kuongezwa ili kuunda mfumo wa IBAD, na kuna michakato miwili ya jumla ya IBAD kama ifuatavyo, kama inavyoonyeshwa kwenye Picha:

Kama inavyoonyeshwa kwenye Picha (a), chanzo cha uvukizi wa boriti ya elektroni hutumika kuwasha safu ya filamu na boriti ya ayoni inayotolewa kutoka kwenye bunduki ya ayoni, hivyo kutambua uwekaji unaosaidiwa wa boriti ya ioni.Faida ni kwamba nishati na mwelekeo wa boriti ya ioni inaweza kubadilishwa, lakini aloi moja au ndogo tu, au kiwanja kinaweza kutumika kama chanzo cha uvukizi, na kila shinikizo la mvuke wa sehemu ya aloi na kiwanja ni tofauti, ambayo inafanya kuwa vigumu. ili kupata safu ya filamu ya utunzi wa chanzo cha uvukizi.
Picha (b) inaonyesha utuaji unaosaidiwa na boriti ya ioni, ambayo pia hujulikana kama uwekaji wa kunyunyizia boriti ya ioni, ambapo shabaha iliyotengenezwa kwa nyenzo ya upakaji ya boriti ya ioni, bidhaa za kunyunyiza hutumiwa kama chanzo.Wakati wa kuiweka kwenye substrate, uwekaji wa usaidizi wa boriti ya ioni hupatikana kwa kuwashwa na chanzo kingine cha ioni.Faida ya njia hii ni kwamba chembe zilizopigwa zenyewe zina nishati fulani, kwa hiyo kuna kujitoa bora na substrate;sehemu yoyote ya lengo inaweza sputtered mipako, lakini pia inaweza kuwa majibu sputtering ndani ya filamu, rahisi kurekebisha muundo wa filamu, lakini utuaji ufanisi wake ni ya chini, lengo ni ghali na kuna matatizo kama vile kuchagua sputtering.