ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀਆਂ ਤਕਨੀਕੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

1. ਦਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤਇਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਫਿਲਮ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ, ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਵਿੱਚ ਭਾਫ਼ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੀ ਆਵਾਜਾਈ, ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਭਾਫ਼ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੇ ਨਿਊਕਲੀਏਸ਼ਨ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।

2. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਜਮ੍ਹਾ ਵੈਕਿਊਮ ਡਿਗਰੀ ਉੱਚ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 10-510^-3ਗੈਸ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਦਾ ਮੁਕਤ ਰਸਤਾ 1~10 ਮੀਟਰ ਕ੍ਰਮ ਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਸਰੋਤ ਤੋਂ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਦੀ ਦੂਰੀ ਨਾਲੋਂ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਦੂਰੀ ਨੂੰ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੂਰੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 300~800mm। ਪਰਤ ਦੇ ਕਣ ਗੈਸ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਨਾਲ ਮੁਸ਼ਕਿਲ ਨਾਲ ਟਕਰਾਉਂਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦੇ ਹਨ।

3. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਪਰਤ ਜ਼ਖ਼ਮ ਵਾਲੀ ਪਲੇਟਿੰਗ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਾਸ਼ਪ ਪਰਮਾਣੂ ਸਿੱਧੇ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਹੇਠ ਵਰਕਪੀਸ ਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। ਵਰਕਪੀਸ 'ਤੇ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਸਰੋਤ ਦੇ ਸਾਹਮਣੇ ਵਾਲਾ ਪਾਸਾ ਹੀ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਦੇ ਪਾਸੇ ਅਤੇ ਪਿੱਛੇ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਨੂੰ ਮੁਸ਼ਕਿਲ ਨਾਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਦੀ ਪਲੇਟਿੰਗ ਮਾੜੀ ਹੈ।

4. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਪਰਤ ਦੇ ਕਣਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਲਿਜਾਈ ਜਾਣ ਵਾਲੀ ਗਰਮੀ ਊਰਜਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਕਿਉਂਕਿ ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਵਰਕਪੀਸ ਪੱਖਪਾਤੀ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ, ਇਸ ਲਈ ਧਾਤ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਸਿਰਫ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੌਰਾਨ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦੀ ਗਰਮੀ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 1000~2000 °C ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਲਿਜਾਈ ਜਾਣ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ 0.1~0.2eV ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਫਿਲਮ ਕਣਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਫਿਲਮ ਪਰਤ ਅਤੇ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਵਿਚਕਾਰ ਬੰਧਨ ਬਲ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

5. ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਕੋਟਿੰਗ ਪਰਤ ਦੀ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਬਣਤਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਵੈਕਿਊਮ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਲੇਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਦੇ ਅਧੀਨ ਬਣਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਭਾਫ਼ ਵਿੱਚ ਫਿਲਮ ਕਣ ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਪਰਮਾਣੂ ਸਕੇਲ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਵਰਕਪੀਸ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇੱਕ ਵਧੀਆ ਕੋਰ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।