१. दव्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंगप्रक्रियेमध्ये फिल्म सामग्रीचे बाष्पीभवन, उच्च निर्वात पोकळीत बाष्प अणूंचे वहन आणि कार्यवस्तूच्या पृष्ठभागावर बाष्प अणूंचे केंद्रकनिर्मिती आणि वाढ होण्याची प्रक्रिया यांचा समावेश होतो.
२. व्हॅक्यूम इव्हॅपोरेशन कोटिंगची डिपॉझिशन व्हॅक्यूम डिग्री उच्च असते, साधारणपणे १०-५१०-3वायूच्या रेणूंचा मुक्त मार्ग १ ते १० मीटरच्या श्रेणीतील असतो, जो बाष्पीभवन स्रोतापासून कार्यवस्तूपर्यंतच्या अंतरापेक्षा खूप जास्त असतो. या अंतराला बाष्पीभवन अंतर म्हणतात, जे साधारणपणे ३०० ते ८०० मिमी असते. लेपाचे कण वायूच्या रेणूंशी आणि बाष्पाच्या अणूंशी क्वचितच टक्कर होऊन कार्यवस्तूपर्यंत पोहोचतात.
३. व्हॅक्यूम इव्हॅपोरेशन कोटिंग लेयर हे गुंडाळून केलेले प्लेटिंग नसते, आणि बाष्पाचे अणू उच्च व्हॅक्यूमखाली थेट वर्कपीसवर जातात. वर्कपीसवरील केवळ बाष्पीभवन स्रोताच्या दिशेने असलेल्या बाजूलाच फिल्म लेयर मिळू शकतो, आणि वर्कपीसच्या बाजूला व मागील बाजूस फिल्म लेयर मिळणे जवळजवळ अशक्य असते, आणि मिळालेल्या फिल्म लेयरचे प्लेटिंग निकृष्ट दर्जाचे असते.
४. व्हॅक्यूम इव्हॅपोरेशन कोटिंग लेयरच्या कणांची ऊर्जा कमी असते आणि वर्कपीसपर्यंत पोहोचणारी ऊर्जा ही बाष्पीभवनामुळे वाहून आणलेली उष्णता ऊर्जा असते. व्हॅक्यूम इव्हॅपोरेशन कोटिंग दरम्यान वर्कपीसला कोणताही दाब दिला जात नसल्यामुळे, धातूचे अणू बाष्पीभवनादरम्यान केवळ बाष्पीभवनाच्या उष्णतेवर अवलंबून असतात, बाष्पीभवनाचे तापमान १०००~२००० °C असते आणि वाहून आणलेली ऊर्जा ०.१~०.२eV इतकी असते, त्यामुळे फिल्मच्या कणांची ऊर्जा कमी असते, फिल्म लेयर आणि मॅट्रिक्समधील बंधन शक्ती कमी असते आणि संयुक्त कोटिंग तयार करणे कठीण होते.
५. व्हॅक्यूम इव्हॅपोरेशन कोटिंग लेयरची रचना सूक्ष्म असते. व्हॅक्यूम इव्हॅपोरेशन प्लेटिंग प्रक्रिया उच्च व्हॅक्यूममध्ये केली जाते आणि वाफेमधील फिल्मचे कण मूलतः अणू-स्तरीय असतात, ज्यामुळे वर्कपीसच्या पृष्ठभागावर एक सूक्ष्म गाभा तयार होतो.
पोस्ट करण्याची वेळ: १४ जून २०२३