वैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंग को प्राविधिक विशेषताहरु

१. दवैक्यूम वाष्पीकरण कोटिंगप्रक्रियामा फिल्म सामग्रीको वाष्पीकरण, उच्च भ्याकुममा वाष्प परमाणुहरूको ढुवानी, र वर्कपीसको सतहमा वाष्प परमाणुहरूको न्यूक्लियसन र वृद्धिको प्रक्रिया समावेश छ।

2. भ्याकुम वाष्पीकरण कोटिंग को डिपोजिसन भ्याकुम डिग्री उच्च छ, सामान्यतया 10-510^-3Pa. ग्याँस अणुहरूको मुक्त मार्ग परिमाणको 1~10m क्रम हो, जुन वाष्पीकरण स्रोतबाट workpiece को दूरी भन्दा धेरै ठूलो छ, यो दूरीलाई वाष्पीकरण दूरी भनिन्छ, सामान्यतया 300~800mm।कोटिंग कणहरू ग्यास अणुहरू र वाष्प परमाणुहरूसँग मुश्किलले टक्कर गर्छन् र वर्कपीसमा पुग्छन्।

3. भ्याकुम वाष्पीकरण कोटिंग तह घाउ प्लेटिङ छैन, र वाष्प परमाणुहरू उच्च भ्याकुम अन्तर्गत workpiece मा सीधा जान्छन्।वर्कपीसमा वाष्पीकरणको स्रोतको सामना गर्ने पक्षले मात्र फिल्म लेयर प्राप्त गर्न सक्छ, र वर्कपीसको छेउ र पछाडि फिल्म तह प्राप्त गर्न सक्दैन, र फिल्म तहमा कमजोर प्लेटिङ छ।

4. भ्याकुम वाष्पीकरण कोटिंग लेयरका कणहरूको ऊर्जा कम छ, र वर्कपीसमा पुग्ने ऊर्जा वाष्पीकरण द्वारा प्रवाहित ताप ऊर्जा हो।भ्याकुम वाष्पीकरण कोटिंगको समयमा वर्कपीस पक्षपाती नभएकोले, धातुको परमाणुहरू वाष्पीकरणको समयमा वाष्पीकरणको तापमा मात्र निर्भर हुन्छन्, वाष्पीकरण तापमान 1000 ~ 2000 डिग्री सेल्सियस हुन्छ, र बोक्ने ऊर्जा 0.1 ~ 0.2eV को बराबर हुन्छ, त्यसैले यसको ऊर्जा फिल्म कणहरू कम छन्, फिल्म तह र म्याट्रिक्स बीचको बन्धन बल सानो छ, र यौगिक कोटिंग बनाउन गाह्रो छ।

5. भ्याकुम वाष्पीकरण कोटिंग तहको राम्रो संरचना छ।भ्याकुम वाष्पीकरण प्लेटिङ प्रक्रिया उच्च भ्याकुम अन्तर्गत बनाइन्छ, र वाष्पमा फिल्म कणहरू मूलतया परमाणु स्केल हुन्, workpiece को सतह मा एक राम्रो कोर गठन।