ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೇಪನದ ತಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

1. ದಿನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಲೇಪನಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಫಿಲ್ಮ್ ವಸ್ತುಗಳ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ಆವಿ ಪರಮಾಣುಗಳ ಸಾಗಣೆ ಮತ್ತು ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೇಶನ್ ಮತ್ತು ಆವಿ ಪರಮಾಣುಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ.

2. ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೇಪನದ ಠೇವಣಿ ನಿರ್ವಾತ ಪದವಿಯು ಅಧಿಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 10-510^-3Pa. ಅನಿಲ ಅಣುಗಳ ಮುಕ್ತ ಮಾರ್ಗವು 1 ~ 10m ಆರ್ಡರ್ ಆಫ್ ಮ್ಯಾಗ್ನಿಟ್ಯೂಡ್ ಆಗಿದೆ, ಇದು ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಮೂಲದಿಂದ ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ಗೆ ಇರುವ ಅಂತರಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು, ಈ ದೂರವನ್ನು ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ದೂರ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 300 ~ 800mm.ಲೇಪನ ಕಣಗಳು ಅನಿಲ ಅಣುಗಳು ಮತ್ತು ಆವಿ ಪರಮಾಣುಗಳೊಂದಿಗೆ ಅಷ್ಟೇನೂ ಘರ್ಷಣೆಯಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್ ಅನ್ನು ತಲುಪುತ್ತವೆ.

3. ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೇಪನ ಪದರವು ಗಾಯದ ಲೇಪನವಲ್ಲ, ಮತ್ತು ಆವಿ ಪರಮಾಣುಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ನೇರವಾಗಿ ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ಗೆ ಹೋಗುತ್ತವೆ.ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ನಲ್ಲಿನ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಮೂಲವನ್ನು ಎದುರಿಸುತ್ತಿರುವ ಬದಿಯು ಮಾತ್ರ ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಯರ್ ಅನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು, ಮತ್ತು ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ನ ಬದಿ ಮತ್ತು ಹಿಂಭಾಗವು ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಯರ್ ಅನ್ನು ಕಷ್ಟದಿಂದ ಪಡೆಯಬಹುದು ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಯರ್ ಕಳಪೆ ಲೇಪನವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ.

4. ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಲೇಪನ ಪದರದ ಕಣಗಳ ಶಕ್ತಿಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್ ಅನ್ನು ತಲುಪುವ ಶಕ್ತಿಯು ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯಿಂದ ಒಯ್ಯುವ ಶಾಖ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ.ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೇಪನದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್ ಪಕ್ಷಪಾತವಿಲ್ಲದ ಕಾರಣ, ಲೋಹದ ಪರಮಾಣುಗಳು ಬಾಷ್ಪೀಕರಣದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಶಾಖವನ್ನು ಮಾತ್ರ ಅವಲಂಬಿಸುತ್ತವೆ, ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ತಾಪಮಾನವು 1000~2000 °C ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಾಗಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯು 0.1~0.2eV ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಶಕ್ತಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕಣಗಳು ಕಡಿಮೆ, ಫಿಲ್ಮ್ ಲೇಯರ್ ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ ನಡುವಿನ ಬಂಧದ ಬಲವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಂಯುಕ್ತ ಲೇಪನವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಕಷ್ಟವಾಗುತ್ತದೆ.

5. ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೇಪನ ಪದರವು ಉತ್ತಮವಾದ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.ನಿರ್ವಾತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಲೋಹಲೇಪ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿರ್ವಾತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಆವಿಯಲ್ಲಿನ ಫಿಲ್ಮ್ ಕಣಗಳು ಮೂಲತಃ ಪರಮಾಣು ಮಾಪಕವಾಗಿದ್ದು, ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್‌ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮವಾದ ಕೋರ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ.