१. दव्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंगप्रक्रियेमध्ये फिल्म मटेरियलचे बाष्पीभवन, उच्च व्हॅक्यूममध्ये बाष्प अणूंचे वाहतूक आणि वर्कपीसच्या पृष्ठभागावर बाष्प अणूंचे केंद्रीकरण आणि वाढ प्रक्रिया समाविष्ट आहे.
२. व्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंगचे डिपॉझिशन व्हॅक्यूम डिग्री जास्त असते, साधारणपणे १०-५१०-3पा. वायूच्या रेणूंचा मुक्त मार्ग १~१० मीटरच्या परिमाणाचा असतो, जो बाष्पीभवन स्त्रोतापासून वर्कपीसपर्यंतच्या अंतरापेक्षा खूप जास्त असतो, या अंतराला बाष्पीभवन अंतर म्हणतात, साधारणपणे ३००~८०० मिमी. लेप कण वायूच्या रेणू आणि बाष्प अणूंशी क्वचितच टक्कर देतात आणि वर्कपीसपर्यंत पोहोचतात.
३. व्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंग लेयर जखमेच्या प्लेटिंगचा नसतो आणि बाष्प अणू उच्च व्हॅक्यूम अंतर्गत थेट वर्कपीसवर जातात. वर्कपीसवरील बाष्पीभवन स्त्रोताकडे तोंड असलेली बाजूच फिल्म लेयर मिळवू शकते आणि वर्कपीसच्या बाजूला आणि मागच्या बाजूला फिल्म लेयर मिळणे कठीण असते आणि फिल्म लेयरमध्ये खराब प्लेटिंग असते.
४. व्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंग लेयरच्या कणांची ऊर्जा कमी असते आणि वर्कपीसपर्यंत पोहोचणारी ऊर्जा ही बाष्पीभवनाने वाहून नेलेली उष्णता ऊर्जा असते. व्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंग दरम्यान वर्कपीस पक्षपाती नसल्यामुळे, धातूचे अणू बाष्पीभवन दरम्यान फक्त बाष्पीभवनाच्या उष्णतेवर अवलंबून असतात, बाष्पीभवन तापमान १०००~२००० °C असते आणि वाहून नेलेली ऊर्जा ०.१~०.२eV च्या समतुल्य असते, त्यामुळे फिल्म कणांची ऊर्जा कमी असते, फिल्म लेयर आणि मॅट्रिक्समधील बंधन शक्ती कमी असते आणि कंपाऊंड कोटिंग तयार करणे कठीण असते.
५. व्हॅक्यूम बाष्पीभवन कोटिंग लेयरची रचना बारीक असते. व्हॅक्यूम बाष्पीभवन प्लेटिंग प्रक्रिया उच्च व्हॅक्यूम अंतर्गत तयार होते आणि बाष्पातील फिल्म कण मुळात अणु स्केल असतात, जे वर्कपीसच्या पृष्ठभागावर एक बारीक गाभा तयार करतात.
पोस्ट वेळ: जून-१४-२०२३