വാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗിന്റെ സാങ്കേതിക സവിശേഷതകൾ

1. ദിവാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗ്ഫിലിം വസ്തുക്കളുടെ ബാഷ്പീകരണം, ഉയർന്ന ശൂന്യതയിൽ നീരാവി ആറ്റങ്ങളുടെ ഗതാഗതം, വർക്ക്പീസിന്റെ ഉപരിതലത്തിൽ നീരാവി ആറ്റങ്ങളുടെ ന്യൂക്ലിയേഷൻ, വളർച്ച എന്നിവ ഈ പ്രക്രിയയിൽ ഉൾപ്പെടുന്നു.

2. വാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗിന്റെ ഡിപ്പോസിഷൻ വാക്വം ഡിഗ്രി ഉയർന്നതാണ്, സാധാരണയായി 10-510^-3Pa. വാതക തന്മാത്രകളുടെ സ്വതന്ത്ര പാത 1~10 മീറ്റർ ക്രമത്തിലാണ്, ഇത് ബാഷ്പീകരണ സ്രോതസ്സിൽ നിന്ന് വർക്ക്പീസിലേക്കുള്ള ദൂരത്തേക്കാൾ വളരെ കൂടുതലാണ്, ഈ ദൂരത്തെ ബാഷ്പീകരണ ദൂരം എന്ന് വിളിക്കുന്നു, സാധാരണയായി 300~800mm. കോട്ടിംഗ് കണികകൾ വാതക തന്മാത്രകളുമായും നീരാവി ആറ്റങ്ങളുമായും കൂട്ടിയിടിച്ച് വർക്ക്പീസിൽ എത്തുന്നില്ല.

3. വാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗ് പാളി മുറിവ് പ്ലേറ്റിംഗ് അല്ല, കൂടാതെ നീരാവി ആറ്റങ്ങൾ ഉയർന്ന വാക്വമിൽ വർക്ക്പീസിലേക്ക് നേരിട്ട് പോകുന്നു. വർക്ക്പീസിലെ ബാഷ്പീകരണ സ്രോതസ്സിന് അഭിമുഖമായുള്ള വശത്തിന് മാത്രമേ ഫിലിം ലെയർ ലഭിക്കൂ, വർക്ക്പീസിന്റെ വശത്തും പിൻഭാഗത്തും ഫിലിം ലെയർ ലഭിക്കാൻ പ്രയാസമാണ്, കൂടാതെ ഫിലിം ലെയറിന് മോശം പ്ലേറ്റിംഗ് ഉണ്ട്.

4. വാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗ് പാളിയുടെ കണികകളുടെ ഊർജ്ജം കുറവാണ്, കൂടാതെ വർക്ക്പീസിൽ എത്തുന്ന ഊർജ്ജം ബാഷ്പീകരണം വഹിക്കുന്ന താപ ഊർജ്ജമാണ്. വാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗ് സമയത്ത് വർക്ക്പീസ് പക്ഷപാതമില്ലാത്തതിനാൽ, ലോഹ ആറ്റങ്ങൾ ബാഷ്പീകരണ സമയത്ത് ബാഷ്പീകരണ താപത്തെ മാത്രമേ ആശ്രയിക്കുകയുള്ളൂ, ബാഷ്പീകരണ താപനില 1000~2000 °C ആണ്, കൂടാതെ വഹിക്കുന്ന ഊർജ്ജം 0.1~0.2eV ന് തുല്യമാണ്, അതിനാൽ ഫിലിം കണങ്ങളുടെ ഊർജ്ജം കുറവാണ്, ഫിലിം പാളിക്കും മാട്രിക്സിനും ഇടയിലുള്ള ബോണ്ടിംഗ് ഫോഴ്‌സ് ചെറുതാണ്, കൂടാതെ ഒരു സംയുക്ത കോട്ടിംഗ് രൂപപ്പെടുത്താൻ പ്രയാസമാണ്.

5. വാക്വം ബാഷ്പീകരണ കോട്ടിംഗ് പാളിക്ക് സൂക്ഷ്മമായ ഘടനയുണ്ട്. ഉയർന്ന വാക്വമിന് കീഴിലാണ് വാക്വം ബാഷ്പീകരണ പ്ലേറ്റിംഗ് പ്രക്രിയ രൂപപ്പെടുന്നത്, കൂടാതെ നീരാവിയിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്ന ഫിലിം കണികകൾ അടിസ്ഥാനപരമായി ആറ്റോമിക് സ്കെയിലാണ്, വർക്ക്പീസിന്റെ ഉപരിതലത്തിൽ ഒരു സൂക്ഷ്മ കോർ രൂപപ്പെടുന്നു.