Tatsächlech ass d'Ionenstrahl-assistéiert Oflagerungstechnologie eng Komposittechnologie. Et ass eng Komposit-Uewerflächen-Ionenbehandlungstechnik, déi Ionenimplantatioun a physikalesch Dampfoflagerungsfilmtechnologie kombinéiert, an eng nei Zort vun Ionenstrahl-Uewerflächenoptimiséierungstechnik. Zousätzlech zu de Virdeeler vun der physikalescher Dampfoflagerung kann dës Technik all Déckt vum Film ënner méi strenge Kontrollbedingungen kontinuéierlech wuessen loossen, d'Kristallinitéit an d'Orientéierung vun der Filmschicht méi däitlech verbesseren, d'Adhäsiounsstäerkt vun der Filmschicht/dem Substrat erhéijen, d'Dicht vun der Filmschicht verbesseren a Kompositfilmer mat idealen stöchiometresche Verhältnisser bei bal Raumtemperatur synthetiséieren, dorënner nei Zorte vu Filmer, déi net bei Raumtemperatur an Drock kritt kënne ginn. Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung behält net nëmmen d'Virdeeler vum Ionenimplantatiounsprozess, mee kann och de Substrat mat engem komplett anere Film wéi de Substrat bedecken.
Bei all Zorte vu physikalescher a chemescher Dampfoflagerung kann e Set vun zousätzleche Bombardement-Ionenkanounen derbäigesat ginn, fir en IBAD-System ze bilden, an et ginn zwou allgemeng IBAD-Prozesser, wéi follegt, wéi op der Foto gewisen:
Wéi an der Fig. (a) gewisen, gëtt eng Elektronestrahl-Verdampfungsquell benotzt fir d'Filmieschicht mam Ionenstrahl ze bestrahlen, deen vun der Ionenkanoun ausgestraalt gëtt, wouduerch eng Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung realiséiert gëtt. De Virdeel ass, datt d'Energie an d'Richtung vun den Ionenstrahlen ugepasst kënne ginn, awer nëmmen eng eenzeg oder limitéiert Legierung oder Verbindung als Verdampfungsquell benotzt ka ginn, an den Dampdrock vun all Legierungskomponent a Verbindung ass ënnerschiddlech, wat et schwéier mécht, d'Filmieschicht vun der ursprénglecher Verdampfungsquellzesummesetzung ze kréien.
Bild (b) weist d'Oflagerung duerch Ionenstrahlsputtering, déi och als Duebel-Ionenstrahlsputtering bekannt ass, bei där d'Zil aus engem Ionenstrahlsputtering-Beschichtungsmaterial besteet, an d'Sputterprodukter als Quell benotzt ginn. Wärend der Oflagerung um Substrat gëtt d'Oflagerung duerch d'Bestrahlung mat enger anerer Ionenquell erreecht. De Virdeel vun dëser Method ass, datt d'Sputterpartikelen selwer eng gewëssen Energie hunn, sou datt et eng besser Haftung mam Substrat gëtt; all Komponent vum Zil kann gesputtert beschichtet ginn, awer et kann och duerch Reaktiounssputtering an de Film angepasst ginn, wouduerch d'Zesummesetzung vum Film einfach ugepasst ka ginn, awer seng Oflagerungseffizienz ass niddreg, d'Zil ass deier an et gëtt Problemer wéi selektivt Sputtering.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08. November 2022