Шын мәнінде, иондық сәуленің көмегімен тұндыру технологиясы композициялық технология болып табылады. Бұл иондарды имплантациялау және физикалық бу тұндыру пленкасы технологиясын және ион сәулесінің бетін оңтайландырудың жаңа түрін біріктіретін композициялық беттік ионды өңдеу әдісі. Физикалық бу тұндыру артықшылықтарына қосымша, бұл әдіс неғұрлым қатаң бақылау жағдайында кез келген қалыңдықтағы пленканы үздіксіз өсіре алады, пленка қабатының кристалдылығы мен бағытын айтарлықтай жақсарта алады, пленка қабатының/субстраттың адгезиясының беріктігін арттырады, пленка қабатының тығыздығын жақсартады және бөлме температурасында және қысымның жаңа түрлерін қоса алғанда, бөлме температурасында қабықшаның жаңа түрлерін алу мүмкін емес идеалды стехиометриялық қатынасы бар құрама пленкаларды синтездей алады. Иондық сәуленің көмегімен тұндыру иондарды имплантациялау процесінің артықшылықтарын сақтап қана қоймайды, сонымен қатар субстратты субстраттан мүлдем басқа пленкамен жабуы мүмкін.
Физикалық булардың тұндыруының және химиялық булардың тұндырылуының барлық түрлерінде IBAD жүйесін құру үшін қосымша бомбалау иондық пистолеттер жиынтығын қосуға болады және суретте көрсетілгендей екі жалпы IBAD процесі бар:
(a) суретте көрсетілгендей, электронды сәуленің булану көзі пленка қабатын иондық пистолеттен шығарылатын иондық сәулемен сәулелендіру үшін пайдаланылады, осылайша ион сәулесінің көмегімен тұндыру жүзеге асырылады. Артықшылығы мынада: ион сәулесінің энергиясы мен бағытын реттеуге болады, бірақ булану көзі ретінде тек бір немесе шектеулі қорытпа немесе қосылыс пайдаланылуы мүмкін, ал қорытпа компоненті мен қосылыстарының әрбір бу қысымы әртүрлі, бұл бастапқы булану көзі құрамының қабықша қабатын алуды қиындатады.
(b) суретте қос ионды сәуле шашыратқыш тұндыру деп те аталатын иондық сәулені шашырату арқылы тұндыру көрсетілген, мұнда көз ретінде ион сәулесін шашыратқыш жабын материалынан жасалған нысана, шашырату өнімдері пайдаланылады. Оны субстратта тұндыру кезінде ион сәулесінің шашырауы арқылы тұндыру басқа ион көзімен сәулелену арқылы жүзеге асырылады. Бұл әдістің артықшылығы - шашыраған бөлшектердің өздері белгілі бір энергияға ие, сондықтан субстратпен жақсы адгезия болады; нысананың кез келген құрамдас бөлігі бүріккіш жабын болуы мүмкін, сонымен қатар пленкаға реакциялық шашырау болуы мүмкін, пленка құрамын реттеу оңай, бірақ оның тұндыру тиімділігі төмен, нысана қымбат және селективті шашырату сияқты мәселелер бар.
Жіберу уақыты: 08 қараша 2022 ж