1. ისვაკუუმური აორთქლების საფარიპროცესი მოიცავს ფირის მასალების აორთქლებას, ორთქლის ატომების ტრანსპორტირებას მაღალ ვაკუუმში და ორთქლის ატომების ბირთვის წარმოქმნისა და ზრდის პროცესს სამუშაო ნაწილის ზედაპირზე.
2. ვაკუუმური აორთქლების საფარის დეპონირების ვაკუუმის ხარისხი მაღალია, ზოგადად 10-510-3პ.ა. გაზის მოლეკულების თავისუფალი გზა 1~10 მ სიდიდის რიგისაა, რაც გაცილებით მეტია აორთქლების წყაროდან სამუშაო ნაწილამდე მანძილს. ამ მანძილს აორთქლების მანძილი ეწოდება და ზოგადად 300~800 მმ-ია. საფარის ნაწილაკები თითქმის არ ეჯახება გაზის მოლეკულებსა და ორთქლის ატომებს და სამუშაო ნაწილამდე არ აღწევს.
3. ვაკუუმ-აორთქლების საფარის ფენა არ არის დახვეული მოპირკეთებით და ორთქლის ატომები მაღალი ვაკუუმის პირობებში პირდაპირ სამუშაო ნაწილზე გადადის. მხოლოდ სამუშაო ნაწილზე აორთქლების წყაროსკენ მიმართული მხარე ხვდება აპკის ფენას, ხოლო სამუშაო ნაწილის გვერდითი და უკანა მხარეები ძლივს ხვდება აპკის ფენას და აპკის ფენას აქვს სუსტი მოპირკეთება.
4. ვაკუუმური აორთქლების საფარის ფენის ნაწილაკების ენერგია დაბალია და სამუშაო ნაწილამდე მისული ენერგია აორთქლების შედეგად გადატანილი სითბური ენერგიაა. ვინაიდან ვაკუუმური აორთქლების საფარის დროს სამუშაო ნაწილი არ არის მიკერძოებული, ლითონის ატომები აორთქლების დროს მხოლოდ აორთქლების სითბოს ეყრდნობიან, აორთქლების ტემპერატურაა 1000~2000 °C და გადატანილი ენერგია 0.1~0.2 eV-ის ეკვივალენტურია, ამიტომ ფირის ნაწილაკების ენერგია დაბალია, ფირის ფენასა და მატრიცას შორის შემაკავშირებელი ძალა მცირეა და რთული საფარის წარმოქმნა რთულია.
5. ვაკუუმური აორთქლების საფარის ფენას აქვს წვრილი სტრუქტურა. ვაკუუმური აორთქლების მოპირკეთების პროცესი ყალიბდება მაღალი ვაკუუმის პირობებში და ორთქლში არსებული ფირის ნაწილაკები ძირითადად ატომური მასშტაბისაა და სამუშაო ნაწილის ზედაპირზე წვრილ ბირთვს ქმნის.
გამოქვეყნების დრო: 2023 წლის 14 ივნისი