1. Thehutsean lurruntze-estalduraProzesuak film-materialen lurruntzea, lurrun-atomoen garraioa hutsean eta lurrun-atomoen nukleazio- eta hazkuntza-prozesua barne hartzen ditu piezaren gainazalean.
2. Hutsean lurruntzeko estalduraren deposizio-hutsune maila altua da, oro har 10-510-3Pa. Gas molekulen bide askea 1~10m magnitude-ordenakoa da, lurruntze-iturritik piezarainoko distantzia baino askoz handiagoa dena; distantzia horri lurruntze-distantzia deritzo, oro har 300~800mm. Estaldura-partikulak ia ez dira gas molekulekin eta lurrun-atomoekin talka egiten eta piezara iristen dira.
3. Hutsean lurruntze-estaldura geruza ez dago kiribildutako plakarik, eta lurrun-atomoak zuzenean piezara joaten dira hutsune altuan. Piezaren lurruntze-iturriari begira dagoen aldeak bakarrik lor dezake film-geruza, eta piezaren alboak eta atzealdeak nekez lor dezakete film-geruza, eta film-geruzak plaka eskasa du.
4. Hutsean lurruntze-estaldura geruzaren partikulen energia baxua da, eta piezara iristen den energia lurruntzeak garraiatzen duen bero-energia da. Pieza ez denez alborapenik jasaten hutsean lurruntze-estalduraren zehar, metal atomoek lurruntze-beroaren menpe daude soilik lurruntzean zehar, lurruntze-tenperatura 1000~2000 °C-koa da, eta garraiatzen den energia 0.1~0.2eV-ren baliokidea da, beraz, film-partikulen energia baxua da, film-geruzaren eta matrizearen arteko lotura-indarra txikia da, eta zaila da konposatu-estaldura bat eratzea.
5. Hutsean lurruntze bidezko estaldura geruzak egitura fina du. Hutsean lurruntze bidezko estaldura prozesua hutsean eratzen da, eta lurrunean dauden film partikulak funtsean eskala atomikoan daude, piezaren gainazalean nukleo fin bat osatuz.
Argitaratze data: 2023ko ekainaren 14a