Ioonkiirega abistatava sadestamise tehnoloogia

Tegelikult on ioonkiire abil sadestamise tehnoloogia komposiittehnoloogia. See on komposiitpinna ioontöötlustehnika, mis ühendab ioonimplantatsiooni ja füüsikalise aurustamise sadestamise kiletehnoloogia ning uut tüüpi ioonkiire pinna optimeerimise tehnika. Lisaks füüsikalise aurustamise eelistele võimaldab see tehnika pidevalt kasvatada mis tahes paksusega kile rangemates kontrolltingimustes, parandada oluliselt kilekihi kristallilisust ja orientatsiooni, suurendada kilekihi/aluspinna adhesioonitugevust, parandada kilekihi tihedust ja sünteesida ideaalsete stöhhiomeetriliste suhetega liitkilesid peaaegu toatemperatuuril, sealhulgas uut tüüpi kilesid, mida ei saa toatemperatuuril ja rõhul saada. Ioonkiire abil sadestamine mitte ainult ei säilita ioonimplantatsiooniprotsessi eeliseid, vaid võimaldab katta aluspinna täiesti erineva kilega.
Igasuguste füüsikaliste ja keemiliste aurude sadestamise meetodite puhul saab IBAD-süsteemi moodustamiseks lisada abipommitus-ioonpüstolite komplekti ning joonisel näidatud viisil on kaks üldist IBAD-protsessi:

Nagu joonisel (a) näidatud, kasutatakse elektronkiire aurustusallikat kilekihi kiiritamiseks ioonpüstolist kiiratava ioonkiirega, realiseerides seega ioonkiire abil sadestamise. Eeliseks on see, et ioonkiire energiat ja suunda saab reguleerida, kuid aurustumisallikana saab kasutada ainult ühte või piiratud arvu sulameid või ühendit ning iga sulami komponendi ja ühendi aururõhk on erinev, mis raskendab aurustumisallika algse koostisega kilekihi saamist.
Joonisel (b) on kujutatud ioonkiire pihustamise abil sadestamist, mida tuntakse ka kahekordse ioonkiire pihustamise abil sadestamisena, mille puhul ioonkiire pihustamise kattematerjalist valmistatud sihtmärki ja pihustusprodukte kasutatakse allikana. Aluspinnale sadestamisel saavutatakse ioonkiire pihustamise abil sadestamine kiiritades teise ioonallikaga. Selle meetodi eeliseks on see, et pihustatud osakestel endil on teatud energia, mistõttu on aluspinnaga parem nakkuvus; sihtmärgi mis tahes komponenti saab pihustada, aga seda saab ka reaktsioonipihustamise teel kilesse kanda, mis hõlbustab kile koostise reguleerimist, kuid sadestamise efektiivsus on madal, sihtmärk on kallis ja esineb probleeme, näiteks selektiivne pihustamine.