1. SeevaakumaurustuskateProtsess hõlmab kilematerjalide aurustamist, auru aatomite transportimist kõrgvaakumis ning auru aatomite tuumastumist ja kasvu tooriku pinnal.
2. Vaakumaurustuskatte sadestumisvaakumaste on kõrge, tavaliselt 10–510-3Gaasimolekulide vaba tee pikkus on suurusjärgus 1–10 m, mis on palju suurem kui aurustumisallika ja tooriku vaheline kaugus. Seda kaugust nimetatakse aurustumiskauguseks ja see on üldiselt 300–800 mm. Katteosakesed ei põrka peaaegu üldse kokku gaasimolekulide ja auru aatomitega ning jõuavad toorikuni.
3. Vaakumaurustuskattekiht ei ole mähitud ja auru aatomid liiguvad kõrgvaakumis otse toorikule. Kilekihti saab ainult tooriku aurustusallika poole suunatud külg, tooriku külg ja tagakülg ei saa kilekihti peaaegu üldse kätte ja kilekihil on halb katvus.
4. Vaakumaurustuskattekihi osakeste energia on madal ja töödeldavale detailile jõudev energia on aurustumisel kantud soojusenergia. Kuna vaakumaurustuskatmise ajal töödeldav detail ei ole eelpingestatud, sõltuvad metalli aatomid aurustumise ajal ainult aurustumissoojusest. Aurustumistemperatuur on 1000–2000 °C ja kantud energia on 0,1–0,2 eV. Seega on kileosakeste energia madal, kilekihi ja maatriksi vaheline sidemejõud on väike ja ühendkatte moodustamine on keeruline.
5. Vaakumaurustuskattel on peen struktuur. Vaakumaurustuskatmisprotsess moodustatakse kõrgvaakumis ja aurukihis olevad osakesed on põhimõtteliselt aatomisuurused, moodustades töödeldava detaili pinnale peene südamiku.
Postituse aeg: 14. juuni 2023