Tecnulugia di deposizione assistita da fasciu ionicu

In fatti, a tecnulugia di deposizione assistita da fasciu ionicu hè una tecnulugia cumposta. Hè una tecnica di trattamentu di ioni di superficia cumposta chì combina l'impiantu ionicu è a tecnulugia di film di deposizione fisica da vapore, è un novu tipu di tecnica di ottimizazione di a superficia di u fasciu ionicu. In più di i vantaghji di a deposizione fisica da vapore, sta tecnica pò fà cresce continuamente qualsiasi film di spessore sottu cundizioni di cuntrollu più strette, migliurà a cristallinità è l'orientazione di u stratu di film in modu più significativu, aumentà a forza di adesione di u stratu di film/substratu, migliurà a densità di u stratu di film è sintetizà film cumposti cù rapporti stechiometrici ideali à temperatura ambiente vicinu, cumpresi novi tipi di film chì ùn ponu esse ottenuti à temperatura ambiente è pressione. A deposizione assistita da fasciu ionicu ùn solu mantene i vantaghji di u prucessu d'impiantu ionicu, ma pò ancu copre u substratu cù un film cumpletamente diversu da u substratu.
In tutti i tipi di deposizione fisica di vapore è deposizione chimica di vapore, un inseme di pistole ioniche di bombardamentu ausiliariu pò esse aghjuntu per furmà un sistema IBAD, è ci sò dui prucessi IBAD generali cum'è mostratu in a foto:

Cum'è mostratu in a Figura (a), una fonte d'evaporazione di fasciu d'elettroni hè aduprata per irradià u stratu di film cù u fasciu di ioni emessu da u cannone di ioni, realizendu cusì una deposizione assistita da un fasciu di ioni. U vantaghju hè chì l'energia è a direzzione di u fasciu di ioni ponu esse aghjustate, ma solu una sola lega o un cumpostu limitatu pò esse adupratu cum'è fonte d'evaporazione, è ogni pressione di vapore di u cumpunente di a lega è di u cumpostu hè diversa, ciò chì rende difficiule d'ottene u stratu di film di a cumpusizione originale di a fonte d'evaporazione.
A figura (b) mostra a deposizione assistita da sputtering à fasciu ionicu, cunnisciuta ancu cum'è deposizione per sputtering à doppiu fasciu ionicu, in a quale u bersagliu hè fattu di materiale di rivestimentu per sputtering à fasciu ionicu, i prudutti di sputtering sò aduprati cum'è fonte. Mentre si deposita nantu à u sustratu, a deposizione assistita da sputtering à fasciu ionicu hè ottenuta per irradiazione cù un'altra fonte di ioni. U vantaghju di stu metudu hè chì e particelle sputterizzate stesse anu una certa energia, dunque ci hè una migliore adesione cù u sustratu; qualsiasi cumpunente di u bersagliu pò esse rivestimentu sputterizatu, ma pò ancu esse sputtering di reazione in u film, faciule da aghjustà a cumpusizione di u film, ma a so efficienza di deposizione hè bassa, u bersagliu hè caru è ci sò prublemi cum'è u sputtering selettivu.