Ion Beam Assisted Deposition Technology

1. Ion beam assisted deposition နည်းပညာသည် အမြှေးပါးနှင့် အလွှာကြားတွင် ခိုင်ခံ့သော တွယ်တာမှုဖြင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာဖြစ်ပြီး အမြှေးပါးအလွှာသည် အလွန်အားကောင်းသည်။ စမ်းသပ်ချက်များအရ- ion beam-assisted deposition of adhesion သည် thermal vapor deposition ၏ adhesion ထက် အဆပေါင်း ရာနှင့်ချီ တိုးလာသည်၊ အကြောင်းအရင်းမှာ သန့်ရှင်းရေးအကျိုးသက်ရောက်မှု၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အိုင်းယွန်းဗုံးကြဲခြင်းကြောင့် အဓိကအားဖြင့် membrane base interface သည် gradient interfacial တည်ဆောက်ပုံ သို့မဟုတ် hybrid transition အလွှာအဖြစ် အမြှေးပါးကို လျှော့ချရန် ဖြစ်သည်။

2. Ion beam assisted deposition သည် ဖလင်၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို တိုးတက်စေပြီး ပင်ပန်းနွမ်းနယ်သော သက်တမ်းကို တိုးစေပြီး အောက်ဆိုဒ်များ၊ ကာဗိုက်များ၊ ကုဗ BN၊ TiB2 နှင့် စိန်ကဲ့သို့ အပေါ်ယံလွှာများ ပြင်ဆင်မှုအတွက် အလွန်သင့်လျော်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 1Cr18Ni9Ti အပူခံစတီးလ်တွင် 200nm Si3N4 ဖလင်ကို ကြီးထွားစေရန် ion-beam-assisted deposition နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ပင်ပန်းနွမ်းနယ်အက်ကွဲကြောင်းများကို တားစီးနိုင်ရုံသာမက ပင်ပန်းနွမ်းနယ်မှုအက်ကွဲပျံ့နှံ့မှုနှုန်းကိုလည်း သိသာထင်ရှားစွာ လျှော့ချနိုင်ကာ ၎င်း၏သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးရန်အတွက် ကောင်းမွန်သောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

3. Ion beam assisted deposition သည် ဖလင်၏ ဖိစီးမှုသဘောသဘာဝကို ပြောင်းလဲစေပြီး ၎င်း၏ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 11.5keV Xe+ သို့မဟုတ် Ar+ ဖြင့် Cr film ၏ပြင်ဆင်မှုသည် substrate မျက်နှာပြင်၏အပူချိန်၊ bombardment ion စွမ်းအင်၊ ions နှင့် atoms များကို parameters များအချိုးသို့ရောက်ရှိရန် ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် tensile stress မှ compressive stress သို့ stress ကိုဖြစ်စေနိုင်ပြီး၊ ဖလင်၏ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံမှာလည်း ပြောင်းလဲမှုများဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။ အချို့သော ion-to-atom ရောက်ရှိလာမှုအချိုးအောက်တွင်၊ ion beam assisted deposition သည် thermal vapor deposition ဖြင့် အပ်နှံထားသော အမြှေးပါးအလွှာထက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ရွေးချယ်မှု လမ်းကြောင်းရှိသည်။

4.Ion beam assisted deposition သည် အမြှေးပါး၏ corrosion resistance နှင့် oxidation resistance ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဖလင်အလွှာ၏ ion beam-assisted deposition ၏သိပ်သည်းဆကြောင့်၊ အမှုန်များကြားရှိ ကောက်နှံနယ်နိမိတ်များ ပျောက်ကွယ်သွားခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဖလင်အုတ်မြစ်ကြားခံတည်ဆောက်ပုံ တိုးတက်မှု သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားများကြားတွင် ဖြစ်ပေါ်သော အမှုန်အမွှားများ၏ ယိုစိမ့်မှုအခြေအနေသည် ပစ္စည်း၏ corrosion resistance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်၏ ဓာတ်တိုးမှုကို တွန်းလှန်နိုင်စေပါသည်။

5. Ion beam assisted deposition သည် ဖလင်၏ လျှပ်စစ်သံလိုက် ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြောင်းလဲနိုင်ပြီး အလင်းလွှာပါးသော ရုပ်ရှင်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေပါသည်။

6. Ion-assisted deposition သည် atomic deposition နှင့် ion implantation ဆိုင်ရာ parameters များကို တိကျပြီး အမှီအခိုကင်းသော ချိန်ညှိမှုကို ခွင့်ပြုပေးပြီး ပေါက်ကွဲစေသော စွမ်းအင်နည်းပါးသော အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် တသမတ်တည်းပါဝင်မှုရှိသော micrometers အနည်းငယ်၏ အလွှာများကို မျိုးဆက်ဆက်နွယ်စေရန် ခွင့်ပြုပေးသည်၊ သို့မှသာ ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များကို အခန်းအပူချိန်တွင် စိုက်ပျိုးနိုင်ပြီး အပူချိန်ကြောင့် ဖြစ်တတ်သော ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် တိကျသော အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် ဆိုးကျိုးများကို ရှောင်ရှားပါ။

- ဤဆောင်းပါးကိုထုတ်ဝေသည်။ဖုန်စုပ်စက်အလွှာထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua