Technologie de dépôt assisté par faisceau d'ions

1. La technologie de dépôt assisté par faisceau d'ions se caractérise par une forte adhésion entre la membrane et le substrat, la couche membranaire étant très résistante. Les expériences montrent que l'adhésion obtenue par dépôt assisté par faisceau d'ions est plusieurs fois, voire des centaines de fois supérieure à celle obtenue par dépôt thermique en phase vapeur. Ceci est principalement dû à l'effet nettoyant du bombardement ionique sur la surface, qui permet la formation d'une structure interfaciale à gradient, ou couche de transition hybride, à l'interface de la membrane, et réduit ainsi les contraintes exercées sur celle-ci.

2. Le dépôt assisté par faisceau d'ions permet d'améliorer les propriétés mécaniques du film, d'allonger sa durée de vie en fatigue et convient particulièrement bien à la préparation de revêtements d'oxydes, de carbures, de BN cubique, de TiB2 et de matériaux de type diamant. Par exemple, sur un acier réfractaire 1Cr18Ni9Ti, l'utilisation de cette technique pour la croissance d'un film de Si3N4 de 200 nm permet non seulement d'inhiber l'apparition de fissures de fatigue en surface, mais aussi de réduire significativement la vitesse de propagation de ces fissures, contribuant ainsi à prolonger la durée de vie du matériau.

3. Le dépôt assisté par faisceau d'ions peut modifier la nature des contraintes du film et sa structure cristalline. Par exemple, lors de la préparation d'un film de Cr par bombardement de la surface du substrat avec des ions Xe+ ou Ar+ de 11,5 keV, il a été constaté que l'ajustement de la température du substrat, de l'énergie des ions de bombardement et du rapport ions/atomes permet de faire passer les contraintes de traction à compression, induisant ainsi des modifications de la structure cristalline du film. Pour un rapport ions/atomes donné, le dépôt assisté par faisceau d'ions présente une orientation sélective supérieure à celle des couches déposées par dépôt thermique en phase vapeur.

4. Le dépôt assisté par faisceau d'ions permet d'améliorer la résistance à la corrosion et à l'oxydation de la membrane. Grâce à la densité de la couche déposée, l'amélioration de la structure de l'interface du film ou la formation d'un état amorphe due à la disparition des joints de grains entre les particules contribuent à renforcer la résistance à la corrosion du matériau et à le protéger de l'oxydation à haute température.

5. Le dépôt assisté par faisceau d'ions peut modifier les propriétés électromagnétiques du film et améliorer les performances des films minces optiques.

6. Le dépôt assisté par ions permet un réglage précis et indépendant des paramètres liés au dépôt atomique et à l'implantation ionique, et permet la génération successive de revêtements de quelques micromètres avec une composition constante à de faibles énergies de bombardement, de sorte que divers films minces peuvent être cultivés à température ambiante, évitant les effets indésirables sur les matériaux ou les pièces de précision qui pourraient être causés par leur traitement à des températures élevées.

–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua