१. आयन बीम सहाय्यित निक्षेपण तंत्रज्ञानाचे वैशिष्ट्य म्हणजे पडदा (मेम्ब्रेन) आणि आधारस्तर (सबस्ट्रेट) यांच्यातील मजबूत आसंजन, ज्यामुळे पडद्याचा थर खूप मजबूत असतो. प्रयोगांवरून असे दिसून आले आहे की: आयन बीम-सहाय्यित निक्षेपणाचे आसंजन, थर्मल व्हेपर निक्षेपणाच्या आसंजनापेक्षा अनेक पटींपासून ते शेकडो पटींपर्यंत वाढते. याचे मुख्य कारण म्हणजे आयनच्या माऱ्यामुळे पृष्ठभागावर होणारा शुद्धीकरणाचा परिणाम, ज्यामुळे पडदा आणि आधारस्तर यांच्या आंतरपृष्ठावर एक प्रवण आंतरपृष्ठीय संरचना किंवा संकरित संक्रमण थर तयार होतो, तसेच पडद्यावरील ताण कमी होतो.
२. आयन बीम सहाय्यित निक्षेपण (Ion beam assisted deposition) हे फिल्मचे यांत्रिक गुणधर्म सुधारू शकते, थकवा आयुष्य (fatigue life) वाढवू शकते आणि ऑक्साइड, कार्बाइड, क्यूबिक बीएन, टीआयबी२, आणि डायमंड-लाइक कोटिंग्ज तयार करण्यासाठी अत्यंत उपयुक्त आहे. उदाहरणार्थ, १सीआर१८एनआय९टीआय (1Cr18Ni9Ti) उष्णतारोधक स्टीलवर आयन-बीम-सहाय्यित निक्षेपण तंत्रज्ञानाचा वापर करून २००एनएम (200nm) जाडीची एसआय३एन४ (Si3N4) फिल्म तयार केल्यास, ती केवळ पदार्थाच्या पृष्ठभागावर थकवा तडे (fatigue cracks) पडण्यास प्रतिबंध करत नाही, तर थकवा तडे पसरण्याचा दर देखील लक्षणीयरीत्या कमी करते, ज्यामुळे त्याचे आयुष्य वाढण्यास चांगली मदत होते.
३. आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे फिल्मच्या ताणाचे स्वरूप आणि तिच्या स्फटिकीय संरचनेत बदल होऊ शकतो. उदाहरणार्थ, सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर ११.५ keV Xe+ किंवा Ar+ चा मारा करून Cr फिल्म तयार करताना असे आढळून आले की, सब्सट्रेटचे तापमान, मारा करणाऱ्या आयनची ऊर्जा, आयन आणि अणू यांचे प्रमाण योग्य प्रमाणात जुळवून, ताण हा ताण-ताणापासून (tensile stress) संपीडन-ताणापर्यंत (compressive stress) आणता येतो आणि त्यामुळे फिल्मच्या स्फटिकीय संरचनेतही बदल घडून येतात. आयन आणि अणूंच्या आगमनाच्या एका विशिष्ट गुणोत्तराखाली, आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामध्ये औष्णिक बाष्प निक्षेपणाद्वारे (thermal vapor deposition) जमा केलेल्या पडदा-स्तरापेक्षा (membrane layer) अधिक चांगले निवडक अभिमुखन (selective orientation) असते.
४. आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे पडद्याचा क्षरण प्रतिरोध आणि ऑक्सिडीकरण प्रतिरोध वाढू शकतो. आयन बीम-सहाय्यित निक्षेपणामुळे फिल्मच्या थराची घनता वाढते, फिल्म-बेस इंटरफेस संरचनेत सुधारणा होते किंवा कणांमधील ग्रेन बाउंड्री नाहीशा झाल्यामुळे अस्फटिकी अवस्थेची निर्मिती होते, जे पदार्थाचा क्षरण प्रतिरोध वाढवण्यासाठी आणि उच्च तापमानातील ऑक्सिडीकरणास प्रतिकार करण्यासाठी अनुकूल आहे.
५. आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे फिल्मचे विद्युतचुंबकीय गुणधर्म बदलता येतात आणि ऑप्टिकल पातळ फिल्म्सची कार्यक्षमता सुधारता येते.
६. आयन-सहाय्यित निक्षेपणामुळे अणू निक्षेपण आणि आयन रोपण यांच्याशी संबंधित मापदंडांचे अचूक आणि स्वतंत्र समायोजन करता येते, आणि कमी बॉम्बार्डमेंट ऊर्जेवर सुसंगत रचनेसह काही मायक्रोमीटर जाडीच्या लेपांची क्रमशः निर्मिती करता येते, जेणेकरून विविध पातळ थर सामान्य तापमानावर वाढवता येतात, आणि उच्च तापमानावर प्रक्रिया केल्यामुळे पदार्थांवर किंवा अचूक भागांवर होणारे संभाव्य प्रतिकूल परिणाम टाळता येतात.
हा लेख यांनी प्रसिद्ध केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन उत्पादकग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट करण्याची वेळ: २४ जानेवारी २०२४