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CVD技術の動作原理

記事出典:振華真空
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公開日:2016年11月23日

CVD技術は化学反応に基づいています。反応物が気体状態であり、生成物の1つが固体状態である反応は、一般的にCVD反応と呼ばれ、そのため、その化学反応システムは以下の3つの条件を満たす必要があります。

大図
(1)成膜温度において、反応物は十分に高い蒸気圧を有していなければならない。室温で反応物がすべて気体であれば、成膜装置は比較的単純であるが、室温で揮発する反応物が非常に少ない場合は、加熱して揮発させる必要があり、場合によってはキャリアガスを使用して反応室に導入する必要がある。
(2)反応生成物のうち、目的とする沈殿物を除いて、すべての物質は気体状態である必要があり、目的とする沈殿物は固体状態である。
(3)成膜反応中に一定の成膜温度を有する基板に成膜膜がしっかりと付着するように、成膜膜の蒸気圧は十分に低くなければならない。成膜温度における基板材料の蒸気圧も十分に低くなければならない。
析出反応物質は、主に以下の3つの状態に分けられます。
(1)気体状態。室温で気体である原料、例えばメタン、二酸化炭素、アンモニア、塩素など、化学気相堆積に最も適しており、流量を容易に調整できるもの。
(2)液体。室温またはそれより少し高い温度で蒸気圧が高い反応物質(TiCl4、SiCl4、CH3SiCl3など)は、ガス(H2、N2、Arなど)を液体の表面または液体内部の気泡を通して流し、その後、物質の飽和蒸気をスタジオに運ぶために使用できます。
(3)固体。適切な気体または液体の原料がない場合、固体原料のみを使用できます。TaCl5、Nbcl5、ZrCl4などの数百度の元素またはその化合物は、かなりの蒸気圧を持ち、フィルム層に堆積したキャリアガスを使用してスタジオに持ち込むことができます。
より一般的なケースとしては、特定のガスと原料となる気体-固体または気体-液体との反応によって、適切な気体成分が生成され、スタジオに届けられるという方法があります。例えば、HClガスと金属Gaが反応して気体成分GaClが生成され、それがGaClの形でスタジオに輸送されます。

–この記事は以下によって公開されています真空コーティング機メーカー広東振華


投稿日時:2023年11月16日