CVD технологиясе химик реакциягә нигезләнгән. Реагентлар газ халәтендә һәм продуктларның берсе каты халәттә булган реакция гадәттә CVD реакциясе дип атала, шуңа күрә аның химик реакция системасы түбәндәге өч шартны үтәргә тиеш.
(1) Чүпләү температурасында реагентларның пар басымы җитәрлек югары булырга тиеш. Әгәр реагентлар бүлмә температурасында барысы да газсыман булса, чүпләү җайланмасы чагыштырмача гади, әгәр реагентлар бүлмә температурасында бик аз очучан булса, аны очучан итәр өчен җылытырга кирәк, һәм кайвакыт аны реакция камерасына китерү өчен ташучы газ кулланырга кирәк.
(2) Реакция продуктларыннан барлык матдәләр дә газ халәтендә булырга тиеш, теләгән утырма каты халәттә булырга тиеш.
(3) Чүпләнгән пленканың пар басымы, чүпләү реакциясе вакытында билгеле бер чүпләү температурасы булган субстратка ныклы беркетелүен тәэмин итү өчен җитәрлек түбән булырга тиеш. Чүпләү температурасында субстрат материалының пар басымы да җитәрлек түбән булырга тиеш.
Чөкмә реагентлары түбәндәге өч төп халәткә бүленә.
(1) Газсыман халәт. Бүлмә температурасында газсыман булган чыганак материаллар, мәсәлән, метан, углекислый газ, аммиак, хлор һ.б., химик пар утырмалары өчен иң уңайлы һәм агым тизлеге җиңел көйләнә.
(2) Сыеклык. Кайбер реакция матдәләре бүлмә температурасында яки бераз югарырак температурада, югары пар басымы булганда, мәсәлән, TiCI4, SiCl4, CH3SiCl3 һ.б., газ агымын (мәсәлән, H2, N2, Ar) сыеклык өслеге яки күбек эчендәге сыеклык аша үткәрү өчен кулланылырга мөмкин, аннары матдәнең туендырылган парларын студиягә алып керә.
(3) Каты халәт. Яраклы газсыман яки сыек чыганак булмаганда, бары тик каты халәттәге чимал гына кулланылырга мөмкин. Кайбер элементлар яки аларның йөзләгән градустагы кушылмалары шактый зур пар басымына ия, мәсәлән, TaCl5, Nbcl5, ZrCl4 һ.б., пленка катламына урнаштырылган ташучы газ ярдәмендә студиягә алып керелергә мөмкин.
Гадәттә, билгеле бер газ һәм чыганак материалы арасындагы газ-каты яки газ-сыеклык реакциясе студиягә китерү өчен тиешле газсыман компонентлар барлыкка килү белән бара. Мәсәлән, HCl газы һәм металл Ga реакциягә кереп, GaCl газсыман компонентын барлыкка китерә, ул студиягә GaCl формасында китерелә.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 16 ноябре