گۇاڭدۇڭ جېنخۇا تېخنىكا چەكلىك شىركىتىگە خۇش كەپسىز.
يەككە_بايراق

CVD تېخنىكىسىنىڭ ئىشلەش پىرىنسىپلىرى

ماقالە مەنبەسى: جېنخۇا چاڭ-توزان سۈمۈرگۈچ
ئوقۇلدى: 10
نەشر قىلىنغان ۋاقتى: 23-11-16

CVD تېخنىكىسى خىمىيىلىك رېئاكسىيەگە ئاساسلانغان. رېئاكسىيە قىلغۇچى ماددىلار گاز ھالىتىدە، مەھسۇلاتلارنىڭ بىرى قاتتىق ھالەتتە بولغان رېئاكسىيە ئادەتتە CVD رېئاكسىيەسى دەپ ئاتىلىدۇ، شۇڭا ئۇنىڭ خىمىيىلىك رېئاكسىيە سىستېمىسى تۆۋەندىكى ئۈچ شەرتنى قاندۇرۇشى كېرەك.

大图
(1) چۆكمە تېمپېراتۇرىسىدا، رېئاكسىيە قىلغۇچى ماددىلارنىڭ پار بېسىمى يېتەرلىك يۇقىرى بولۇشى كېرەك. ئەگەر رېئاكسىيە قىلغۇچى ماددىلارنىڭ ھەممىسى ئۆي تېمپېراتۇرىسىدا گاز ھالىتىدە بولسا، چۆكمە ئۈسكۈنىسى نىسبەتەن ئاددىي، ئەگەر رېئاكسىيە قىلغۇچى ماددىلار ئۆي تېمپېراتۇرىسىدا ناھايىتى كىچىك بولسا، ئۇنى ئۇچۇچان قىلىش ئۈچۈن قىزىتىش كېرەك، بەزىدە ئۇنى رېئاكسىيە كامېراسىغا ئېلىپ كېلىش ئۈچۈن توشۇغۇچى گازنى ئىشلىتىش كېرەك.
(2) رېئاكسىيە مەھسۇلاتلىرى ئىچىدە، قاتتىق ھالەتتىكى ئېھتىياجلىق چۆكمىدىن باشقا بارلىق ماددىلار گاز ھالىتىدە بولۇشى كېرەك.
(3) چۆكمە قىلىنغان پەردىنىڭ پار بېسىمى چۆكمە رېئاكسىيەسى جەريانىدا بەلگىلىك چۆكمە تېمپېراتۇرىسىغا ئىگە ئاساسقا مەھكەم چاپلىشىشىغا كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن يېتەرلىك دەرىجىدە تۆۋەن بولۇشى كېرەك. چۆكمە تېمپېراتۇرىسىدىكى ئاساس ماتېرىيالىنىڭ پار بېسىمىمۇ يېتەرلىك دەرىجىدە تۆۋەن بولۇشى كېرەك.
چۆكمە رېئاكسىيەچىلىرى تۆۋەندىكى ئۈچ ئاساسلىق ھالەتكە بۆلىنىدۇ.
(1) گاز ھالىتى. مېتان، كاربون تۆت ئوكسىد، ئاممىياك، خلور قاتارلىق ئۆي تېمپېراتۇرىسىدا گاز ھالىتىدە بولغان مەنبە ماتېرىياللار، خىمىيىلىك پارنىڭ چۆكۈشىگە ئەڭ پايدىلىق بولۇپ، ئېقىش سۈرئىتىنى ئاسان تەڭشىگىلى بولىدۇ.
(2) سۇيۇقلۇق. بەزى رېئاكسىيەلىك ماددىلار ئۆي تېمپېراتۇرىسىدا ياكى سەل يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا، يۇقىرى پار بېسىمى بولغان ئەھۋاللاردا، مەسىلەن TiCI4، SiCl4، CH3SiCl3 قاتارلىقلار، گاز (مەسىلەن، H2، N2، Ar) ئېقىمىنى سۇيۇقلۇقنىڭ يۈزى ياكى كۆپۈكنىڭ ئىچىدىكى سۇيۇقلۇق ئارقىلىق توشۇپ، ئاندىن ماددىنىڭ تويۇنغان پارىنى ستۇدىيىگە ئېلىپ كىرىشكە ئىشلىتىلىدۇ.
(3) قاتتىق ھالەت. ماس كېلىدىغان گاز ياكى سۇيۇق مەنبە بولمىغاندا، پەقەت قاتتىق ھالەتتىكى خام ئەشيالارنىلا ئىشلەتكىلى بولىدۇ. يۈزلىگەن گرادۇسلۇق بەزى ئېلېمېنتلار ياكى ئۇلارنىڭ بىرىكمىلىرى، مەسىلەن TaCl5، Nbcl5، ZrCl4 قاتارلىقلار، پىلاستىنكا قەۋىتىگە قويۇلغان توشۇغۇچى گاز ئارقىلىق ستۇدىيىگە ئېلىپ كىرىلىدۇ.
ئەڭ كۆپ ئۇچرايدىغان ئەھۋال شۇكى، مەلۇم بىر گاز ۋە مەنبە ماتېرىيال گاز-قاتتىق ياكى گاز-سۇيۇقلۇق رېئاكسىيەسى ئارقىلىق، ماس كېلىدىغان گاز تەركىبلىرىنىڭ شەكىللىنىشى ستۇدىيەگە يەتكۈزۈلىدۇ. مەسىلەن، HCl گازى ۋە مېتال Ga رېئاكسىيە قىلىپ، گاز تەركىب GaCl نى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ تەركىب GaCl شەكلىدە ستۇدىيەگە يەتكۈزۈلىدۇ.

– بۇ ماقالە نەشر قىلغۇچى تەرىپىدىن تارقىتىلدىۋاكۇئۇم قاپلاش ماشىنىسى ئىشلەپچىقارغۇچىگۇاڭدۇڭ جېنخۇا


ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2023-يىلى 11-ئاينىڭ 16-كۈنى