ເຕັກໂນໂລຊີ CVD ແມ່ນອີງໃສ່ປະຕິກິລິຍາເຄມີ. ປະຕິກິລິຍາທີ່ສານຕັ້ງຕົ້ນຢູ່ໃນສະຖານະອາຍແກັສ ແລະ ໜຶ່ງໃນຜະລິດຕະພັນຢູ່ໃນສະຖານະແຂງ ມັກຖືກເອີ້ນວ່າປະຕິກິລິຍາ CVD, ສະນັ້ນລະບົບປະຕິກິລິຍາເຄມີຂອງມັນຕ້ອງຕອບສະໜອງເງື່ອນໄຂສາມຢ່າງຕໍ່ໄປນີ້.
(1) ທີ່ອຸນຫະພູມການສະສົມ, ສານຕັ້ງຕົ້ນຕ້ອງມີຄວາມກົດດັນໄອນ້ຳສູງພຽງພໍ. ຖ້າສານຕັ້ງຕົ້ນທັງໝົດເປັນອາຍແກັສຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມຫ້ອງ, ອຸປະກອນການສະສົມແມ່ນຂ້ອນຂ້າງງ່າຍດາຍ, ຖ້າສານຕັ້ງຕົ້ນມີຄວາມລະເຫີຍຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມຫ້ອງມີຂະໜາດນ້ອຍຫຼາຍ, ມັນຈຳເປັນຕ້ອງໄດ້ຮັບຄວາມຮ້ອນເພື່ອເຮັດໃຫ້ມັນລະເຫີຍ, ແລະບາງຄັ້ງຕ້ອງໃຊ້ອາຍແກັສພາຫະນະເພື່ອນຳມັນໄປທີ່ຫ້ອງປະຕິກິລິຍາ.
(2) ໃນບັນດາຜະລິດຕະພັນປະຕິກິລິຍາ, ສານທັງໝົດຕ້ອງຢູ່ໃນສະຖານະເປັນແກັສຍົກເວັ້ນຕະກອນທີ່ຕ້ອງການ, ເຊິ່ງຢູ່ໃນສະຖານະແຂງ.
(3) ຄວາມດັນໄອຂອງຟິມທີ່ວາງໄວ້ຄວນຈະຕໍ່າພໍທີ່ຈະຮັບປະກັນວ່າຟິມທີ່ວາງໄວ້ຈະຕິດຢູ່ກັບຊັ້ນຮອງທີ່ມີອຸນຫະພູມການວາງໄວ້ທີ່ແນ່ນອນໃນລະຫວ່າງປະຕິກິລິຍາການວາງໄວ້. ຄວາມດັນໄອຂອງວັດສະດຸຊັ້ນຮອງທີ່ອຸນຫະພູມການວາງໄວ້ກໍ່ຕ້ອງຕໍ່າພໍເຊັ່ນກັນ.
ທາດປະຕິກິລິຍາການຕົກตะกอนແບ່ງອອກເປັນສາມສະຖານະຫຼັກດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້.
(1) ສະຖານະອາຍແກັສ. ວັດສະດຸແຫຼ່ງທີ່ເປັນອາຍແກັສຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ, ເຊັ່ນ: ມີເທນ, ຄາບອນໄດອອກໄຊ, ແອມໂມເນຍ, ຄລໍຣີນ, ແລະອື່ນໆ, ເຊິ່ງເອື້ອອຳນວຍຕໍ່ການຕົກຕະກອນໄອນ້ຳເຄມີຫຼາຍທີ່ສຸດ, ແລະອັດຕາການໄຫຼສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ງ່າຍ.
(2) ຂອງແຫຼວ. ສານບາງຊະນິດທີ່ມີປະຕິກິລິຍາຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມຫ້ອງ ຫຼື ອຸນຫະພູມສູງກວ່າເລັກນ້ອຍ, ມີຄວາມດັນໄອສູງ, ເຊັ່ນ TiCI4, SiCl4, CH3SiCl3, ແລະອື່ນໆ, ສາມາດໃຊ້ເພື່ອນຳເອົາອາຍແກັສ (ເຊັ່ນ H2, N2, Ar) ໄຫຼຜ່ານໜ້າຜິວຂອງແຫຼວ ຫຼື ຂອງແຫຼວພາຍໃນຟອງ, ແລະ ຈາກນັ້ນນຳເອົາໄອອີ່ມຕົວຂອງສານເຂົ້າໄປໃນສະຕູດິໂອ.
(3) ສະຖານະແຂງ. ໃນກໍລະນີທີ່ບໍ່ມີແຫຼ່ງອາຍແກັສ ຫຼື ແຫຼ່ງຂອງແຫຼວທີ່ເໝາະສົມ, ສາມາດໃຊ້ໄດ້ພຽງແຕ່ວັດຖຸດິບສະຖານະແຂງເທົ່ານັ້ນ. ບາງອົງປະກອບ ຫຼື ສານປະກອບຂອງມັນໃນຫຼາຍຮ້ອຍອົງສາມີຄວາມດັນໄອນ້ຳຫຼາຍ, ເຊັ່ນ TaCl5, Nbcl5, ZrCl4, ແລະອື່ນໆ, ສາມາດນຳເຂົ້າໄປໃນສະຕູດິໂອໂດຍໃຊ້ອາຍແກັສພາຫະນະທີ່ຝາກໄວ້ໃນຊັ້ນຟິມ.
ສະຖານະການທີ່ພົບເລື້ອຍກວ່ານັ້ນແມ່ນປະຕິກິລິຍາແກັສ-ແຂງ ຫຼື ແກັສ-ແຫຼວ ຜ່ານອາຍແກັສສະເພາະ ແລະ ແຫຼ່ງທີ່ມາຂອງວັດຖຸ, ການສ້າງສ່ວນປະກອບແກັສທີ່ເໝາະສົມກັບການສົ່ງສະຕູດິໂອ. ຕົວຢ່າງ, ແກັສ HCl ແລະ ໂລຫະ Ga ປະຕິກິລິຍາເພື່ອສ້າງສ່ວນປະກອບແກັສ GaCl, ເຊິ່ງຖືກສົ່ງໄປສະຕູດິໂອໃນຮູບແບບຂອງ GaCl.
- ບົດຄວາມນີ້ເຜີຍແຜ່ໂດຍຜູ້ຜະລິດເຄື່ອງເຄືອບສູນຍາກາດGuangdong Zhenhua
ເວລາໂພສ: ວັນທີ 16 ພະຈິກ 2023