အိုင်းယွန်းရောင်ခြည် စပတ္တာအုပ်ခြင်းနှင့် အိုင်းယွန်းရောင်ခြည် ထွင်းထုခြင်း

၁။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည် စပတ္တာအပေါ်ယံလွှာ

ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ကို အလယ်အလတ်စွမ်းအင်အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ဖြင့် ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်ပြီး အိုင်းယွန်းများ၏စွမ်းအင်သည် ပစ္စည်း၏ပုံဆောင်ခဲကွက်ကြားထဲသို့ မဝင်ဘဲ ပစ်မှတ်အက်တမ်များထံ စွမ်းအင်လွှဲပြောင်းပေးပြီး ၎င်းတို့ကို ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်မှ လွင့်စင်သွားစေပြီးနောက် အလုပ်ခွင်ပေါ်တွင် အနည်ထိုင်ခြင်းဖြင့် ပါးလွှာသောဖလင်တစ်ခုဖွဲ့စည်းသည်။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်မှထုတ်လုပ်သော အမြှုပ်ထခြင်းကြောင့် အမြှုပ်ထသောဖလင်အလွှာအက်တမ်များ၏စွမ်းအင်သည် အလွန်မြင့်မားပြီး ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ဖြင့် မြင့်မားသောလေဟာနယ်တွင် ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်ပြီး ဖလင်အလွှာ၏သန့်စင်မှုမြင့်မားပြီး အရည်အသွေးမြင့်ဖလင်များကို စုပုံနိုင်သော်လည်း အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ဖလင်အလွှာ၏တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသောကြောင့် ဖလင်အလွှာ၏ အလင်းနှင့်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို မြှင့်တင်ရန် ရည်ရွယ်ချက်ကို အောင်မြင်နိုင်သည်။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်အမြှုပ်ထခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ ပါးလွှာသောဖလင်ပစ္စည်းများအသစ်များဖွဲ့စည်းရန်ဖြစ်သည်။

၂။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည် ထွင်းထုခြင်း

အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ထွင်းခြင်းသည် ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ကို အလယ်အလတ်စွမ်းအင်အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ဖြင့် ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်ခြင်းဖြစ်ပြီး၊ အလွှာပေါ်တွင် sputtering၊ etching effect ကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး ၎င်းသည် semiconductor device၊ optoelectronic devices များနှင့် ဂရပ်ဖစ် core နည်းပညာထုတ်လုပ်မှု၏ အခြားနယ်ပယ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ semiconductor integrated circuits ရှိ ချစ်ပ်များအတွက် ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာတွင် Φ12in (Φ304.8mm) အချင်းရှိသော single-crystal silicon wafer ပေါ်တွင် transistor သန်းပေါင်းများစွာကို ပြင်ဆင်ခြင်းပါဝင်သည်။ transistor တစ်ခုစီကို active layer၊ insulating layer၊ isolation layer နှင့် conductive layer တို့ပါဝင်သော မတူညီသောလုပ်ဆောင်ချက်များရှိသော thin film အလွှာများစွာဖြင့် တည်ဆောက်ထားသည်။ functional layer တစ်ခုစီတွင် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်ပုံစံရှိသောကြောင့် functional film အလွှာတစ်ခုစီကို plated လုပ်ပြီးနောက်၊ အသုံးမဝင်သော အစိတ်အပိုင်းများကို ion beam ဖြင့် ထွင်းထုတ်ရန် လိုအပ်ပြီး အသုံးဝင်သော film အစိတ်အပိုင်းများကို မပျက်စီးစေပါ။ ယနေ့ခေတ်တွင် ချစ်ပ်၏ဝါယာကြိုးအကျယ်သည် 7mm ရောက်ရှိနေပြီဖြစ်ပြီး၊ ထိုကဲ့သို့သော ကောင်းမွန်သောပုံစံကို ပြင်ဆင်ရန် ion beam etching လိုအပ်ပါသည်။ Ion beam etching သည် အစပိုင်းတွင်အသုံးပြုသော wet etching နည်းလမ်းနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက etching တိကျမှုမြင့်မားသော dry etching နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ထွင်းခြင်းနည်းပညာတွင် လှုပ်ရှားမှုမရှိသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ထွင်းခြင်းနှင့် တက်ကြွသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ထွင်းခြင်းဟူ၍ နှစ်မျိုးရှိသည်။ အာဂွန်အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ထွင်းခြင်းဖြင့် ပထမတစ်မျိုးမှာ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာတုံ့ပြန်မှုနှင့်သက်ဆိုင်ပြီး ဖလိုရင်းအိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ဖြန်းခြင်း၊ ဖလိုရင်းအိုင်းယွန်းရောင်ခြည်သည် မြင့်မားသောစွမ်းအင်အပြင် လှုပ်ရှားမှု၏အခန်းကဏ္ဍကို ထုတ်လုပ်ပေးသောကြောင့် ဖလိုရင်းအိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ကို SiO2 ဖြင့်လည်း ထွင်းနိုင်သည်။₂၊ စီ₃N4၊ GaAs၊ W နှင့် အခြားပါးလွှာသော ဖလင်များတွင် ဓာတုဗေဒ ဓာတ်ပြုမှု ရှိပြီး ၎င်းသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဓာတ်ပြုမှု လုပ်ငန်းစဉ်သာမက အိုင်းယွန်းရောင်ခြည် ထွင်းထုနည်းပညာ၏ ဓာတုဗေဒ ဓာတ်ပြုမှု လုပ်ငန်းစဉ်လည်း ဖြစ်ပြီး ထွင်းထုနှုန်းမှာ မြန်ဆန်ပါသည်။ ဓာတ်ပြုမှု ထွင်းထုခြင်းတွင် ချေးနိုင်သော ဓာတ်ငွေ့များသည် CF ဖြစ်သည်₄၊စီ₂F₆, CCl4 , BCl₃စသည်တို့၊ SiF အတွက် ထုတ်လုပ်ထားသော ဓာတ်ပြုပစ္စည်းများ₄, SiCl₄, GCl₃နှင့် WF₆ ချေးတက်နိုင်သောဓာတ်ငွေ့များကို ထုတ်ယူကြသည်။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ထွင်းထုနည်းပညာသည် အဆင့်မြင့်ထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ရန် အဓိကနည်းပညာဖြစ်သည်။

- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua