Ion şöhlesi bilen püskürtme örtügi we ion şöhlesi bilen aşındyrma

1. Ion şöhlesiniň püskürtme örtügi

Materialyň ýüzüne orta energiýaly ion şöhlesi düşürilýär we ionlaryň energiýasy materialyň kristal toruna girmeýär, energiýany nyşana atomlaryna geçirýär we olaryň materialyň ýüzünden sepilmegine sebäp bolýar we soňra iş bölegine çökdürilip inçe plýonka emele getirýär. Ion şöhlesiniň öndürýän sepdirilmegi sebäpli, sepdirilen plýonka gatlagynyň atomlarynyň energiýasy örän ýokary bolýar we nyşana material ýokary wakuumda ion şöhlesi bilen bombardman edilýär, plýonka gatlagynyň arassalygy ýokary bolýar we ýokary hilli plýonkalar çökdürilip bilner, şol bir wagtyň özünde ion şöhlesi plýonka gatlagynyň durnuklylygy ýokarlanýar, bu bolsa plýonka gatlagynyň optiki we mehaniki häsiýetlerini gowulandyrmak maksadyna ýetip biler. Ion şöhlesi sepdirilmeginiň maksady täze inçe plýonka materiallaryny emele getirmekdir.

2. Ion şöhlesiniň aşındyrylmagy

Ion şöhlesi bilen aşyndyrma, şeýle hem materialyň ýüzüni orta energiýaly ion şöhlesi bilen bombardman etmek arkaly püskürtme, substrata aşyndyrma täsirini döredýär, ýarymgeçiriji enjam, optoelektron enjamlar we grafika ýadro tehnologiýasynyň önümçiliginiň beýleki ugurlarydyr. Ýarymgeçiriji integral mikrosxemalardaky çipleri taýýarlamak tehnologiýasy diametri Φ12in (Φ304.8mm) bolan birkristally kremniý plastinkasynda millionlarça tranzistorlary taýýarlamagy öz içine alýar. Her bir tranzistor dürli funksiýalary bolan inçe plyonkalaryň köp gatlagyndan ýasalýar, olar işjeň gatlakdan, izolýasiýa gatlagyndan, izolýasiýa gatlagyndan we geçiriji gatlakdan ybarat. Her bir funksional gatlagyň öz nusgasy bar, şonuň üçin funksional plyonkanyň her gatlagy örtülenden soň, peýdasyz bölekleri ion şöhlesi bilen aşyndyrmaly, peýdaly plyonka böleklerini saklamaly. Häzirki wagtda çipiň siminiň ini 7mm-e ýetdi we şeýle inçe nusgany taýýarlamak üçin ion şöhlesi bilen aşyndyrma zerurdyr. Ion şöhlesi bilen aşyndyrma, başda ulanylan çygly aşyndyrma usulyna garanyňda ýokary aşyndyrma takyklygyna eýe bolan gurak aşyndyrma usulydyr.

Ion şöhlesiniň aşyndyryş tehnologiýasy işjeň däl ion şöhlesiniň aşyndyryşy we işjeň ion şöhlesiniň aşyndyryşy bilen iki görnüşli. Birinjisi argon ion şöhlesiniň aşyndyryşy bilen fiziki reaksiýa degişlidir; ikinjisi ftor ion şöhlesiniň püskürmegi bilen, ftor ion şöhlesiniň ýokary energiýadan başga-da, pytrady döredýän roly döredýär, ftor ion şöhlesi SiO2 bilen hem aşyndyrylyp bilner.₂Si₃N4、GaAs、W we beýleki inçe plýonkalar himiki reaksiýa geçirýär, bu hem fiziki reaksiýa prosesi, hem-de ion şöhlesiniň aşındyryş tehnologiýasynyň himiki reaksiýa prosesidir, aşındyryş tizligi çalt. Reaksiýa aşındyryş korroziw gazlary CF-dir.₄、C₂F₆、CCl4、BCl₃we ş.m., SiF3 üçin döredilen reaktantlar₄SiCl₄GCl₃;,we WF₆ korroziw gazlar çykarylýar. Ion şöhlesini aşyndyrmak tehnologiýasy ýokary tehnologiýaly önümleri öndürmegiň esasy tehnologiýasydyr.

–Bu makala çap edildiwakuum örtük maşyny öndürijiGuangdong Zhenhua