1. Ион нурлары сиптерү капламасы
Материал өслегенә уртача энергияле ион нуры сиптерелә, һәм ионнарның энергиясе материалның кристалл рәшәткәсенә керми, ә энергияне максатлы атомнарга күчерә, аларның материал өслегеннән читкә сиптерүенә китерә, аннары эш кисәгенә утырту юлы белән юка пленка барлыкка китерә. Ион нуры тарафыннан барлыкка килгән сиптерү аркасында, сиптерелгән пленка катламы атомнарының энергиясе бик югары, һәм максатлы материал югары вакуумда ион нуры белән сиптерелә, пленка катламының сафлыгы югары, һәм югары сыйфатлы пленкалар урнаштырылырга мөмкин, шул ук вакытта ион нуры пленка катламының тотрыклылыгы яхшыра, бу пленка катламының оптик һәм механик үзлекләрен яхшырту максатына ирешергә мөмкин. Ион нуры сиптерүнең максаты - яңа юка пленка материаллары формалаштыру.
2. Ион нурларын гравюралау
Ион нуры белән бизәү шулай ук материал өслеген урта энергияле ион нуры белән бомбага тоту, сиптерү, субстратка бизәү эффекты бирү, ярымүткәргеч җайланма, оптоэлектрон җайланмалар һәм график үзәк технологияләрен җитештерүнең башка өлкәләре. Ярымүткәргеч интеграль схемаларда чиплар әзерләү технологиясе диаметры Φ12 дюйм (Φ304,8 мм) булган монокристалл кремний пластинасында миллионлаган транзисторлар әзерләүне үз эченә ала. Һәр транзистор төрле функцияле нечкә пленкаларның берничә катламыннан төзелгән, алар актив катлам, изоляция катламы, изоляция катламы һәм үткәргеч катламнан тора. Һәр функциональ катламның үз үрнәге бар, шуңа күрә функциональ пленканың һәр катламы белән капланганнан соң, файдасыз өлешләрне ион нуры белән бизәргә кирәк, файдалы пленка компонентлары сакланып кала. Хәзерге вакытта чипның чыбык киңлеге 7 мм га җитте, һәм мондый нечкә үрнәк әзерләү өчен ион нуры белән бизәү кирәк. Ион нуры белән бизәү - башта кулланылган дымлы бизәү ысулы белән чагыштырганда югары төгәллеккә ия коры бизәү ысулы.
Ион нурларын гравировкалау технологиясе актив булмаган ион нурларын гравировкалау һәм актив ион нурларын гравировкалауның ике төрен үз эченә ала. Беренчесе аргон ион нурларын гравировкалау белән физик реакциягә карый; икенчесе фтор ион нурларын сиптерү белән, фтор ион нурлары югары энергиядән тыш, трамп ролен дә башкара, фтор ион нурларын SiO2 белән дә гравировкаларга мөмкин.2、Си3N4、GaAs、W һәм башка юка пленкалар химик реакциягә керә, бу физик реакция процессы гына түгел, ә ион нурларын эшкәртү технологиясенең химик реакция процессы да, эшкәртү тизлеге дә югары. Реакция вакытында коррозик газлар CF була.4C2F6CCl4, BCl3һ.б., SiF3 өчен барлыкка килгән реагентлар4SiCl4GCl3;, һәм WF6 коррозияле газлар чыгарыла. Ион нурларын гравюралау технологиясе югары технологияле продуктлар җитештерү өчен төп технология булып тора.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 24 октябре