Ion beam sputtering bo ati ion beam etching

1. Ion tan ina sputtering ti a bo

A fi ìbọn ion oní-agbára àárín-agbára bo ojú ohun èlò náà, agbára àwọn ion kìí sìí wọ inú ìbọn kirisita ti ohun èlò náà, ṣùgbọ́n a gbé agbára náà lọ sí àwọn átọ̀mù tí a fojú sí, èyí tí yóò mú kí wọ́n tàn jáde kúrò ní ojú ohun èlò náà, lẹ́yìn náà a ó ṣe fíìmù tín-tín nípa fífi sílẹ̀ lórí iṣẹ́ náà. Nítorí ìbọn tí ìbọn ion ń ṣe, agbára àwọn átọ̀mù ìbọn fíìmù tí a ti yọ jáde ga gan-an, a sì fi ìbọn ion bo ohun èlò tí a fojú sí nínú ìgbálẹ̀ gíga, mímọ́ ìbọn fíìmù náà ga, a sì lè fi àwọn fíìmù tí ó dára jùlọ pamọ́, nígbà tí a bá ti mú ìdúróṣinṣin ìbọn ion sunwọ̀n síi, èyí tí ó lè mú ète ìmúdàgbàsókè àwọn ohun-ìní opitika àti ẹ̀rọ ti ìbọn fíìmù náà sunwọ̀n síi. Ète ìbọn ion ni láti ṣẹ̀dá àwọn ohun èlò fíìmù tín-tín tuntun.

2. Ṣíṣe ìfọ́mọ́ ion stram

Ìtẹ̀jáde ion beam tún jẹ́ ìbọn ion beam alabọde-agbara lórí ojú ohun èlò náà láti mú kí ìtẹ̀jáde sputtering, etching effect lórí substrate náà, jẹ́ ẹ̀rọ semiconductor, àwọn ẹ̀rọ optoelectronic àti àwọn agbègbè mìíràn ti ìṣẹ̀dá ìmọ̀-ẹ̀rọ mojuto graphics. Ìmọ̀-ẹ̀rọ ìmúrasílẹ̀ fún àwọn eerun nínú àwọn iyika integrated semiconductor ní ìmúrasílẹ̀ àràádọ́ta ọ̀kẹ́ transistor lórí wafer silicon kan ṣoṣo pẹ̀lú iwọn ila opin Φ12in (Φ304.8mm). A kọ́ transistor kọ̀ọ̀kan láti inú ọ̀pọ̀lọpọ̀ fẹlẹfẹlẹ tinrin tinrin pẹlu awọn iṣẹ oriṣiriṣi, tí ó ní fẹlẹfẹlẹ ti nṣiṣe lọwọ, fẹlẹfẹlẹ insulating, fẹlẹfẹlẹ ipinya, ati fẹlẹfẹlẹ conductive. Ipele iṣẹ kọọkan ni ilana tirẹ, nitorinaa lẹhin ti a ba ti fi fẹlẹfẹlẹ kọọkan ti fiimu iṣẹ-ṣiṣe bo, awọn apakan ti ko wulo nilo lati fi ion beam yo kuro, ti o fi awọn paati fiimu ti o wulo silẹ ni pipe. Loni, iwọn waya ti chip ti de 7mm, ati pe fifi ion beam yo ṣe pataki lati mura iru apẹẹrẹ ti o dara bẹẹ. Fifi ion beam yo jẹ ọna fifin gbẹ pẹlu deede fifin giga ni akawe si ọna fifin tutu ti a lo ni ibẹrẹ.

Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìgé ion beam pẹ̀lú ìgé ion beam aláìṣiṣẹ́ àti ìgé ion beam aláṣiṣẹ́ pẹ̀lú oríṣi méjì. Èyí àkọ́kọ́ pẹ̀lú ìgé ion beam argon, jẹ́ ti ìṣesí ara; èyí ìkẹyìn pẹ̀lú ìgé ion beam fluorine, ìgé ion fluorine pẹ̀lú agbára gíga láti ṣe ipa ti tramp, a tún le fi SiO gé ion beam fluorine.₂,Si₃N4、GaAs、W àti àwọn fíìmù tín-tín mìíràn ní ìhùwàsí kẹ́míkà, ó jẹ́ ìlànà ìhùwàsí ti ara, ṣùgbọ́n ó tún jẹ́ ìlànà ìhùwàsí kẹ́míkà ti ìmọ̀-ẹ̀rọ ìhùwàsí ion beam, ìwọ̀n ìhùwàsí náà yára. Àwọn gáàsì ìhùwàsí ìhùwàsí jẹ́ CF₄,C₂F₆、CCl4、BCl₃àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, àwọn ohun tí a ṣẹ̀dá fún SiF₄,SiCl₄、GCl₃;、àti WF₆ Àwọn gáàsì oníbàjẹ́ ni a ń yọ jáde. Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìfọ́ ion beam ni ìmọ̀ ẹ̀rọ pàtàkì láti ṣe àwọn ọjà onímọ̀ ẹ̀rọ gíga.

–A gbé àpilẹ̀kọ yìí jáde láti ọwọ́ẹrọ fifọ ideri igbaleGuangdong Zhenhua