১. আয়ন বিম স্পাটারিং কোটিং
উপাদানটির পৃষ্ঠকে একটি মাঝারি-শক্তির আয়ন রশ্মি দ্বারা আঘাত করা হয়, এবং আয়নগুলির শক্তি উপাদানটির ক্রিস্টাল ল্যাটিসে প্রবেশ না করে, বরং টার্গেট পরমাণুগুলিতে শক্তি স্থানান্তর করে, যার ফলে সেগুলি উপাদানটির পৃষ্ঠ থেকে স্পাটারিং প্রক্রিয়ায় অপসারিত হয় এবং তারপর ওয়ার্কপিসের উপর জমা হয়ে একটি পাতলা ফিল্ম তৈরি করে। আয়ন রশ্মি দ্বারা সৃষ্ট স্পাটারিং-এর কারণে, স্পাটারিং প্রক্রিয়ায় অপসারিত ফিল্ম স্তরের পরমাণুগুলির শক্তি খুব বেশি হয়, এবং উচ্চ ভ্যাকুয়ামে টার্গেট উপাদানকে আয়ন রশ্মি দ্বারা আঘাত করা হলে ফিল্ম স্তরের বিশুদ্ধতা বেশি হয় এবং উচ্চ মানের ফিল্ম জমা করা যায়, একই সাথে আয়ন রশ্মি ফিল্ম স্তরের স্থিতিশীলতা উন্নত হয়, যা ফিল্ম স্তরের আলোকীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য উন্নত করার উদ্দেশ্য অর্জন করতে পারে। আয়ন রশ্মি স্পাটারিং-এর উদ্দেশ্য হলো নতুন পাতলা ফিল্ম উপাদান তৈরি করা।
২. আয়ন রশ্মি এচিং
আয়ন বিম এচিং হলো কোনো পদার্থের পৃষ্ঠে মাঝারি-শক্তির আয়ন বিমের আঘাত প্রয়োগ করে সাবস্ট্রেটের উপর স্পাটারিং বা এচিং প্রভাব তৈরি করার একটি পদ্ধতি, যা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, অপটোইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং অন্যান্য ক্ষেত্রের উৎপাদনের মূল প্রযুক্তি। সেমিকন্ডাক্টর ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটের চিপ তৈরির এই প্রযুক্তিতে Φ১২ ইঞ্চি (Φ৩০৪.৮ মিমি) ব্যাসের একটি একক-স্ফটিক সিলিকন ওয়েফারে লক্ষ লক্ষ ট্রানজিস্টর প্রস্তুত করা হয়। প্রতিটি ট্রানজিস্টর বিভিন্ন কার্যকারিতা সম্পন্ন একাধিক পাতলা ফিল্মের স্তর দিয়ে গঠিত, যার মধ্যে একটি সক্রিয় স্তর, একটি অন্তরক স্তর, একটি বিচ্ছিন্নকরণ স্তর এবং একটি পরিবাহী স্তর থাকে। প্রতিটি কার্যকরী স্তরের নিজস্ব নকশা থাকে, তাই কার্যকরী ফিল্মের প্রতিটি স্তর প্রলেপ দেওয়ার পর, আয়ন বিম দিয়ে অপ্রয়োজনীয় অংশগুলো এচিং করে সরিয়ে ফেলতে হয়, যাতে প্রয়োজনীয় ফিল্মের উপাদানগুলো অক্ষত থাকে। বর্তমানে, চিপের তারের প্রস্থ ৭ মিমি-তে পৌঁছেছে এবং এই ধরনের সূক্ষ্ম নকশা প্রস্তুত করার জন্য আয়ন বিম এচিং অপরিহার্য। শুরুতে ব্যবহৃত ওয়েট এচিং পদ্ধতির তুলনায় আয়ন বিম এচিং একটি ড্রাই এচিং পদ্ধতি, যার এচিং নির্ভুলতা অনেক বেশি।
আয়ন বিম এচিং প্রযুক্তি দুই প্রকারের হয়: নিষ্ক্রিয় আয়ন বিম এচিং এবং সক্রিয় আয়ন বিম এচিং। প্রথমটি হলো আর্গন আয়ন বিম এচিং, যা একটি ভৌত বিক্রিয়া; দ্বিতীয়টি হলো ফ্লোরিন আয়ন বিম স্পাটারিং। ফ্লোরিন আয়ন বিম উচ্চ শক্তি উৎপাদনের পাশাপাশি ট্রাম্প তৈরির ভূমিকা পালন করে এবং এটি SiO₂-কেও এচিং করতে পারে।2সি3N4, GaAs, W এবং অন্যান্য পাতলা ফিল্মে একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটে, এটি একাধারে ভৌত বিক্রিয়া প্রক্রিয়া এবং আয়ন বিম এচিং প্রযুক্তির রাসায়নিক বিক্রিয়া প্রক্রিয়া, যার এচিং হার দ্রুত। বিক্রিয়া এচিং-এর ক্ষয়কারী গ্যাস হলো CF।4、C2F6、CCl4、BCl3ইত্যাদি, SiF এর জন্য উৎপন্ন বিক্রিয়কসমূহ4、SiCl4、GCl3;、এবং WF6 ক্ষয়কারী গ্যাস নিষ্কাশন করা হয়। উচ্চ প্রযুক্তির পণ্য উৎপাদনের জন্য আয়ন বিম এচিং প্রযুক্তি একটি মূল প্রযুক্তি।
–এই নিবন্ধটি প্রকাশ করেছেভ্যাকুয়াম কোটিং মেশিন প্রস্তুতকারকগুয়াংডং জেনহুয়া
পোস্ট করার সময়: ২৪ অক্টোবর, ২০২৩