Ion beam sputtering coating ug ion beam etching

1. Ion beam sputtering coating

Ang nawong sa materyal gibombahan og medium-energy ion beam, ug ang enerhiya sa mga ion dili mosulod sa crystal lattice sa materyal, apan ibalhin ang enerhiya ngadto sa target nga mga atomo, hinungdan nga kini mobula gikan sa nawong sa materyal, ug dayon maporma ang usa ka nipis nga pelikula pinaagi sa pagdeposito sa workpiece. Tungod sa sputtering nga gihimo sa ion beam, ang enerhiya sa mga atomo sa sputtered film layer taas kaayo, ug ang target nga materyal gibombahan sa ion beam sa usa ka taas nga vacuum, ang kaputli sa film layer taas, ug ang taas nga kalidad nga mga pelikula mahimong ideposito, samtang ang kalig-on sa ion beam film layer molambo, nga makab-ot ang katuyoan sa pagpauswag sa optical ug mechanical properties sa film layer. Ang katuyoan sa ion beam sputtering mao ang pagporma og bag-ong mga materyales sa nipis nga pelikula.

2. Pag-ukit gamit ang ion beam

Ang ion beam etching usa usab ka medium-energy ion beam bombardment sa ibabaw sa materyal aron makahimo og sputtering, etching effect sa substrate, usa ka semiconductor device, optoelectronic device ug uban pang mga lugar sa produksiyon sa graphics core technology. Ang teknolohiya sa pag-andam alang sa mga chips sa semiconductor integrated circuits naglambigit sa pag-andam sa milyon-milyong transistors sa usa ka single-crystal silicon wafer nga adunay diametro nga Φ12in (Φ304.8mm). Ang matag transistor gitukod gikan sa daghang mga layer sa nipis nga mga pelikula nga adunay lainlaing mga gimbuhaton, nga gilangkoban sa usa ka aktibo nga layer, usa ka insulating layer, usa ka isolation layer, ug usa ka conductive layer. Ang matag functional layer adunay kaugalingon nga pattern, busa pagkahuman sa matag layer sa functional film plated, ang wala’y pulos nga mga bahin kinahanglan nga i-etch gamit ang usa ka ion beam, nga gibiyaan ang mapuslanon nga mga sangkap sa pelikula nga wala’y labot. Karon, ang gilapdon sa wire sa chip nakaabot na sa 7mm, ug ang ion beam etching gikinahanglan aron maandam ang ingon ka pino nga pattern. Ang ion beam etching usa ka pamaagi sa dry etching nga adunay taas nga katukma sa etching kung itandi sa pamaagi sa wet etching nga gigamit sa sinugdanan.

Ang teknolohiya sa ion beam etching nga adunay dili aktibo nga ion beam etching ug aktibo nga ion beam etching adunay duha ka klase. Ang una nga adunay argon ion beam etching, nahisakop sa pisikal nga reaksyon; ang ikaduha nga adunay fluorine ion beam sputtering, ang fluorine ion beam dugang sa taas nga enerhiya aron makahimo og papel sa tramp, ang fluorine ion beam mahimo usab nga i-etch gamit ang SiO₂Si₃Ang N4, GaAs, W ug uban pang nipis nga mga pelikula adunay kemikal nga reaksyon, kini ang proseso sa pisikal nga reaksyon, apan usab ang proseso sa kemikal nga reaksyon sa teknolohiya sa ion beam etching, ang rate sa etching paspas. Ang reaksyon sa etching nga mga corrosive gas kay CF₄C₂F₆CCl4, BCl₃, ug uban pa, ang namugna nga mga reactant para sa SiF₄SiCl₄、GCl₃;、ug WF₆ diin gikuha ang mga makadaot nga gas. Ang teknolohiya sa ion beam etching mao ang hinungdanon nga teknolohiya aron makahimo og mga high-tech nga produkto.

–Kini nga artikulo gipagawas nitiggama og vacuum coating machineGuangdong Zhenhua